[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板，所述阵列基板的制备方法包括：在形成有薄膜晶体管及触控信号线的基板上制备无机绝缘层，在无机绝缘层上形成图案化的公共电极，之后在公共电极上制备一层钝化层，采用同一道光罩工艺对钝化层以及无机绝缘层进行图案化，以形成露出薄膜晶体管的漏极以及触控信号线的第一过孔，以及形成露出公共电极的第二过孔，使得触控信号线与公共电极通过形成于钝化层表面的触控电极桥接。本申请采用该工艺制程能够解决低温多晶硅有源矩阵朝着缩小特征尺寸的方向发展时，造成设备成本增长，且制程工艺复杂的问题。

技术领域

本申请涉及触控显示面板制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)现在成为显示装置中的主流。特别是低温多晶硅显示技术(LTPS)，由于其较高的载流子迁移率可以使晶体管获得更高的开关电流比，在满足要求的充电电流条件下，每个像素晶体管可以更加小尺寸化，增加每个像素透光区，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗，从而获得更好的视觉体验。

由于液晶显示器是一种靠电场来调节液晶分子的排列状态，从而实现光通量调制的被动型显示器件，需要精细的有源驱动矩阵(Array)配合各像素区液晶的偏转状况。鉴于低温多晶硅有源矩阵朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了设备成本以指数增长，如何降低成本、简化工艺制程已成为当下研究热点。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板，能够解决低温多晶硅有源矩阵朝着缩小特征尺寸的方向发展时，造成设备成本增长，且制程工艺复杂的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S10，提供一基板，在所述基板上形成无机膜层和薄膜晶体管以及触控信号线，其中，所述触控信号线制备于所述无机膜层表面且与所述薄膜晶体管的源/漏极同层；

步骤S20，在所述源/漏极以及所述触控信号线表面制备无机绝缘层，并在所述无机绝缘层表面形成图案化的公共电极；

步骤S30，在所述公共电极表面制备钝化层，并通过同一道光罩制程图案化所述钝化层以及所述无机绝缘层，形成露出所述漏极以及所述触控信号线的第一过孔，以及形成露出所述公共电极的第二过孔；

步骤S40，在所述钝化层表面形成图案化的像素电极以及触控电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极电连接，所述触控电极分别通过所述第一过孔以及所述第二过孔与所述触控信号线以及所述公共电极电连接，以使所述触控信号线与所述公共电极通过所述触控电极桥接。

在本申请的制备方法中，所述步骤S10包括以下步骤：

步骤S101，在所述基板上制备遮光层，并对所述遮光层进行图案化形成遮光图块；

步骤S102，在所述遮光图块上依次制备缓冲层和非晶硅层，对所述非晶硅层进行图案化，并对图案化的所述非晶硅层进行激光镭射及退火工艺，形成多晶硅层；

步骤S103，在所述多晶硅层上依次制备栅极绝缘层以及栅极金属层，对所述栅极金属层进行图案化以形成栅极，以及对所述多晶硅层进行离子掺杂以形成有源层；

步骤S104，在所述栅极上制备层间绝缘层，通过同一道光罩制程对所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层进行图案化以形成露出所述有源层的源漏重掺杂区的源/漏极过孔；

步骤S105，在所述层间绝缘层上制备源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化以形成对应所述源/漏极过孔的所述源/漏极，以及形成与所述源/漏极绝缘的所述触控信号线。