[发明专利]一种钝化接触双面太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种钝化接触双面太阳电池的制作方法，包括：将背面沉积氮化硅薄膜的硅片依次经过：

1)去绕镀及制绒；

2)硼扩散；

3)边缘隔离；

4)去除BSG；

5)沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层；

6)丝网印刷和烧结；

得到钝化接触双面太阳电池。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背面沉积氮化硅薄膜的硅片按照以下方法制备得到：

1-1)对硅片进行单面抛光，得到单面抛光的硅片；

1-2)在单面抛光的硅片的抛光面生长氧化硅层和沉积本征非晶硅层；

1-3)对步骤1-2)得到的硅片进行磷扩散；

1-4)将步骤1-3)得到的硅片沉积氮化硅薄膜，得到背面沉积氮化硅薄膜的硅片。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1～2nm。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为100～200nm。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述磷扩散的扩散温度为700～780℃。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去绕镀及制绒具体步骤为：

将背面沉积氮化硅薄膜的硅片置于含有5～8wt％氢氧化钾溶液的常规单晶制绒设备中，在65～75℃下进行去绕镀；

然后在制绒槽中加入制绒添加剂，在80～85℃进行制绒，得到去绕镀及正面制绒的硅片。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述去绕镀的时间为130～180秒。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硼扩散的扩散温度为850～950℃。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为5～30nm。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为50～90nm。