[发明专利]一种钝化接触双面太阳电池的制作方法

说明书

本发明提供了一种钝化接触双面太阳能电池的制作方法，将背面沉积氮化硅薄膜的硅片依次经过：去绕镀及制绒；硼扩散；边缘隔离；去除BSG；沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层；丝网印刷和烧结，得到钝化接触双面太阳电池。其中，本发明提供的方法通过选择特定的制作工艺路线，使得本发明提供的工艺与现有已知的工艺相比不仅节省了制作钝化接触双面太阳能电池的步骤，且可以达到95％以上的产品批次良率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种钝化接触双面太阳电池的制作方法。

背景技术

N型电池技术作为行业公认的下一个高效电池技术发展路线，其有着效率高、衰减低、双面率高等优势，能有效提高发电量，但由于PERC电池将背面的接触范围限制在开孔区域，开孔处的高复合速率依然存在。

为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化，并去除背面开膜工艺，钝化接触技术近年来成为行业研究热点。德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(Fraunhofer ISE)开发的TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)技术即为钝化接触的一种，目前其在小面积电池上的效率已达25.7％。这种电池前表面与常规N型太阳能电池没有本质区别，为绒面、硼扩散P型层、钝化及减反射层，主要区别在于背面。硅片背面采用湿法氧化或热氧氧化出一层极薄氧化硅层，并利用PECVD或LPCVD在氧化层表面沉积一层磷掺杂的非晶硅薄膜。钝化性能需通过后续退火过程激活，非晶硅薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶硅。iVoc＞710mV，J₀在5-15fA/cm²，显示了钝化接触结构优异的钝化性能。

由于这种电池结构需要在背面沉积非晶硅薄膜，而其所用LPCVD设备会形成双面薄膜，即会在正面产生绕镀，这就需要特殊的工艺步骤设计来解决这个问题，目前TOPCON制造技术在行业内还没有比较统一的工艺步骤，一般的TOPCON工艺路线中在用LPCVD沉积非晶硅薄膜时会在电池正面形成严重的非晶硅绕镀，需要采用一定的方法除去绕镀，如：天合光能的CN105185866A具体步骤：(1)硅片清洗制绒；(2)对硅片进行硼扩散(或磷扩散)；(3)单面去除BSG(或PSG)；(4)背面单面抛光；(5)热氧生长氧化硅；(6)沉积掺杂N型多晶硅(或P型)；(7)背面氮化硅掩膜；(8)TMAH去除正面多晶硅；(9)HF酸刻蚀正面BSG(或PSG)和背面氮化硅；(10)正面沉积氮化硅减反层；(11)正面印刷Ag栅线；(12)背面蒸镀背电极。然而这种方法用掩膜的方式保护背面再用碱(TMAH)去除绕镀会使工艺步骤冗长，需在现有产线增加湿法清洗设备不利于技术的产业化，同时其电池结构为单面电池，不能双面发电，不符合产业化趋势，而从这衍生出来的一些制程路线为了简化工艺步骤会使得绕镀不易去除致电池的良率变低，亦不利于TOPCON技术的产业化进程。

发明内容

有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种钝化接触双面太阳电池的制作方法，本发明提供的制作方法通过现有常规产线的设备即可实现钝化接触双面太阳能电池的制备，且成品率高。

与现有技术相比，本发明提供了一种钝化接触双面太阳能电池的制作方法，将背面沉积氮化硅膜的硅片依次经过：去绕镀及制绒；硼扩散；边缘隔离；去除BSG；沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层；丝网印刷和烧结，得到钝化接触双面太阳电池。其中，本发明提供的方法通过选择特定的制作工艺路线，使得本发明提供的工艺与现有已知的工艺相比不仅节省了制作钝化接触双面太阳能电池的步骤，且可以达到95％以上的产品批次良率。

附图说明

图1为本发明提供的钝化接触双面太阳电池的制作方法的工艺流程图；

图2为钝化接触晶体硅太阳电池的电池结构。

具体实施方式

本发明提供了一种钝化接触双面太阳电池的制作方法，包括：将背面沉积氮化硅薄膜的硅片依次经过：