[发明专利]包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法

权利要求书

1.一种储存设备，包括：

非易失性存储器器件，包括至少一个存储器块，所述至少一个存储器块至少包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域；以及

存储器控制器，被配置为：

基于要被提供给所述第一存储器区域的第一读取电压，设置与所述存储器块相对应的读取块电压，

基于所述第一存储器区域的读取电压的改变和所述第二存储器区域的读取电压的改变，设置与所述第一存储器区域、所述第二存储器区域和所述读取块电压相关的变化信息，以及

基于所述变化信息，确定要被提供给所述第二存储器区域的第二读取电压。

2.根据权利要求1所述的储存设备，其中，

所述存储器块还包括与参考字线连接的参考存储器区域；

所述存储器控制器还被配置为：

基于所述参考存储器区域的预测读取电压与所述第一存储器区域的预测读取电压之间的差，设置第一偏移信息，以及

基于所述参考存储器区域的所述预测读取电压与所述第二存储器区域的预测读取电压之间的差，设置第二偏移信息；以及

所述变化信息包括所述第一偏移信息和所述第二偏移信息。

3.根据权利要求2所述的储存设备，其中，所述存储器控制器还被配置为基于所述第一读取电压和所述第一偏移信息，计算所述读取块电压。

4.根据权利要求2所述的储存设备，其中，所述存储器控制器还被配置为基于所述读取块电压和所述第二偏移信息，计算所述第二读取电压。

5.根据权利要求1所述的储存设备，其中，

所述变化信息包括多个变化表，所述多个变化表分别与关于至少一个劣化因素分类的多个状况相对应；以及

所述多个变化表中的每一个变化表包括：

基于所述第一存储器区域的读取电压而产生的第一字线信息，所述第一存储器区域的读取电压是根据针对所述多个变化表中的每一个变化表的对应状况而设置的，以及

基于所述第二存储器区域的读取电压而产生的第二字线信息，所述第二存储器区域的读取电压是根据针对所述多个变化表中的每一个变化表的对应状况而设置的。

6.根据权利要求5所述的储存设备，其中，所述存储器控制器还被配置为基于所述第一读取电压和所述多个变化表中的每一个变化表中包括的所述第一字线信息，选择所述多个变化表中的一个变化表。

7.根据权利要求6所述的储存设备，其中，所述存储器控制器还被配置为：

基于所述第一读取电压和所选择的变化表中包括的所述第一字线信息，计算所述读取块电压；以及

基于所述读取块电压和所选择的变化表中包括的所述第二字线信息，计算所述第二读取电压。

8.根据权利要求5所述的储存设备，其中，所述存储器控制器还被配置为：

检测所述存储器块的与所述至少一个劣化因素相对应的劣化状态；以及

基于所述劣化状态，选择所述多个变化表中的一个变化表。

9.根据权利要求5所述的储存设备，其中，所述至少一个劣化因素包括所述存储器块的编程/擦除计数、读取计数、保持时间、温度、或读取干扰中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的储存设备，其中，

所述变化信息包括与所述第一存储器区域的读取电压和所述第二存储器区域的读取电压之间的期望关系相对应的系数信息；以及

所述存储器控制器还被配置为基于所述期望关系、所述系数信息和所述读取块电压来计算所述第二读取电压。

11.根据权利要求1所述的储存设备，其中，

所述存储器控制器还被配置为通过训练所述第二存储器区域的读取电压和所述第一存储器区域的读取电压之间的期望关系来产生预测模型信息；以及

所述变化信息包括所产生的预测模型信息。