[发明专利]包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法

说明书

公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月14日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0094844的优先权，其公开通过引用整体并入本文中。

技术领域

本文公开的发明构思的各种示例实施例涉及存储数据的设备，更具体地，涉及包括非易失性存储器器件的储存设备、包括该储存设备的系统、和/或其操作方法。

背景技术

储存设备(例如，固态驱动器(SSD)等)包括非易失性存储器。由于储存设备即使在掉电之后也保持存储在其中的数据(例如，储存设备的电源被关断等)，因此将数据长时间存储在储存设备上是有利的。储存设备用作各种电子设备(例如，计算机、智能电话、智能平板等)中的主储存器。

储存设备的非易失性存储器由于各种因素而随时间劣化，并且储存设备可以以基于劣化程度改变操作状况的方式来应对劣化。例如，储存设备可以以基于储存设备的操作状况调整读取电压的电平的方式来应对劣化。通常，可以针对每个存储器块调整读取电压的电平。然而，存储器块中的连接到不同字线的存储器区域的读取电压可以随着劣化而不同地变化。为了确保与驱动储存设备相关联的可靠性，需要更精细地调整读取电压。

发明内容

本发明构思的各种示例实施例提供了一种包括非易失性存储器器件的储存设备、包括储存设备的系统和/或其操作方法，非易失性存储器器件可以考虑由于非易失性存储器器件的劣化引起的操作状态的改变来确保可靠性。

根据至少一个示例实施例，一种储存设备包括非易失性存储器器件和存储器控制器。非易失性存储器器件包括至少一个存储器块，该至少一个存储器块至少包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器被配置为：基于要被提供给第一存储器区域的第一读取电压来设置与存储器块相对应的读取块电压；基于第一存储器区域的读取电压的改变和第二存储器区域的读取电压的改变，来设置与第一存储器区域、第二存储器区域和读取块电压相关的变化信息；以及，基于变化信息确定要被提供给第二存储器区域的第二读取电压。

根据至少一个示例实施例，一种储存设备的操作方法包括：使用存储器控制器接收针对与目标字线连接的存储器区域的读取请求；响应于读取请求，使用存储器控制器搜索与存储器区域中包括的存储器块相对应的读取块电压；使用存储器控制器基于读取电压的预测值设置变化信息，读取电压分别被提供给存储器区域的多个字线；以及，使用存储器控制器基于读取块电压和变化信息确定要被提供给目标字线的目标读取电压。

根据至少一个示例实施例，一种储存设备包括：非易失性存储器，包括至少一个存储器块；以及存储器控制器，被配置为：基于与成功读取操作相对应的被提供给字线的读取电压和与字线相对应的位置信息来设置针对至少一个存储器块的读取块电压；以及基于读取块电压和与读取请求的存储器区域连接的目标字线的位置信息，来确定要被提供给目标字线的目标读取电压。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的一些示例实施例，本发明构思的上述及其它目的和特征将变得更清楚。

图1是示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的储存设备的框图。

图2是示出了根据至少一个示例实施例的图1所示的存储器块的示例电路图。

图3是用于描述根据至少一个示例实施例的图2中所示的存储器单元的阈值电压分布的改变的曲线图。