[发明专利]体声波谐振器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910735292.6 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN112039481A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 周春宇 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/04
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 张立君
地址: 315803 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:

压电叠层;

位于压电叠层上的介质层,所述介质层中设有贯穿介质层的空腔;

位于介质层上的基板,所述基板覆盖所述介质层;

位于基板中的伪腔,所述伪腔贯穿所述基板,且所述伪腔延伸至所述空腔外围的介质层中;

位于介质层中的气压平衡孔,所述气压平衡孔连通所述伪腔和所述空腔。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述压电叠层包括第一电极、位于第一电极上的压电层和位于压电层上的第二电极。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述气压平衡孔位于介质层和基板之间。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述气压平衡孔位于介质层和压电叠层之间。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述空腔的宽度为100um~400um,所述伪腔的宽度为20um~50um。

6.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,还包括第二绝缘层,设置在除所述空腔所在区域以外的所述第二电极与所述介质层之间,所述第二绝缘层包括氧化硅、氮化硅中的任意一种或两种组合。

7.根据权利要求6所述的体声波谐振器,其特征在于,所述压电叠层还包括调频层,所述调频层包括第一调频层和第二调频层,所述第一调频层设置于所述第一电极远离压电层的一侧表面,所述第二调频层设置于所述第二绝缘层与第二电极之间;

所述第一调频层和/或所述第二调频层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的体声波谐振器,其特征在于,还包括:位于所述空腔、气压平衡孔和伪腔的外围区域的第一构件连接孔和第二构件连接孔,所述第一构件连接孔贯穿所述第一调频层并暴露所述第一电极的局部;所述第二构件连接孔贯穿所述基板、所述介质层、所述第二绝缘层以及所述第二调频层并暴露出所述第二电极的局部。

9.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一构件连接孔和第二构件连接孔底部分别设有金属焊盘。

10.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述气压平衡孔的垂向宽度为所述气压平衡孔的横向长度为

11.一种体声波谐振器的制造方法,其特征在于,包括:

提供衬底,在所述衬底上形成压电叠层;

在所述压电叠层上形成介质层;

在所述介质层中形成贯穿所述介质层的空腔;

在所述介质层中形成气压平衡孔,所述气压平衡孔与所述空腔连通;

提供基板;

将所述基板覆盖于所述介质层之上;

在所述基板中形成贯穿所述基板的伪腔,所述伪腔延伸至所述空腔外围的所述介质层中,所述伪腔与所述空腔通过所述气压平衡孔相连通。

12.根据权利要求11所述的体声波谐振器的制造方法,其特征在于,

所述气压平衡孔位于介质层和基板之间;所述气压平衡孔的形成方法包括:在所述介质层中形成贯穿所述介质层的空腔和与所述空腔连通的沟槽;提供基板;将所述基板覆盖于所述介质层之上,使所述沟槽形成与所述空腔连接的气压平衡孔。

13.根据权利要求11所述的体声波谐振器的制造方法,其特征在于,

所述气压平衡孔位于介质层和压电叠层之间;所述气压平衡孔的形成方法包括:在部分所述压电叠层上形成牺牲层;在所述牺牲层和压电叠层上介质层;在所述介质层中形成贯穿所述介质层的空腔;形成空腔后,去除所述牺牲层形成与所述空腔连接的气压平衡孔。

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