[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底，所述衬底包括导电层；

在所述导电层表面形成阻隔层；

蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层；以及

对露出的部分所述导电层进行掺杂以形成第一电极，其中，所述第一电极为源极或者漏极。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述“蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层”包括：

在所述阻隔层上形成第一光阻层；

对所述第一光阻层进行光罩以形成第一开口，以露出部分所述阻隔层；以及

蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层以露出部分所述导电层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述衬底还包括衬底本体，所述导电层包括第一轻掺杂部，所述第一轻掺杂部位于所述衬底本体上，所述第一开口对应所述第一轻掺杂部设置；

所述“蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层露出部分所述导电层”具体为：蚀刻所述第一开口对应的阻隔层以露出部分所述第一轻掺杂部。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述导电层还包括第二轻掺杂部，所述第二轻掺杂部位于所述衬底本体上并与所述第一轻掺杂部间隔设置，所述制备方法还包括：

在形成所述第一开口的同时，对所述第一光阻层进行光罩以形成第二开口，以露出部分所述阻隔层，其中，所述第二开口对应所述第二轻掺杂部设置。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层的同时，蚀刻所述第二开口对应的所述阻隔层，以露出部分所述第二轻掺杂部。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述“蚀刻所述阻隔层露出部分所述导电层”之后，所述制备方法还包括：

移除所述第一光阻层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述“蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层”与所述“对露出的部分所述导电层进行掺杂以形成第一电极”之间，所述制备方法还包括：

在所述阻隔层上形成第二光阻层；以及

在所述第二光阻层上形成第一掺杂开口，所述第一掺杂开口露出所述第一轻掺杂部及部分所述阻隔层。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述第二光阻层上形成所述第一掺杂开口的同时，在所述第二光阻层上形成第二掺杂开口，所述第二掺杂开口露出所述第二轻掺杂部及部分所述阻隔层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述“对露出的部分所述导电层进行掺杂形成第一电极”包括：对露出的部分所述第一轻掺杂部进行掺杂以形成第一电极。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在对露出的部分所述导电层进行掺杂形成所述第一电极的同时，对露出的部分第二轻掺杂部进行掺杂，以形成第二电极，其中，当所述第一电极为源极时，所述第二电极为漏极，当所述第一电极为漏极时，所述第二电极为源极。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述“对露出的部分所述第一轻掺杂部进行掺杂以形成第一电极”包括：

对所述第一掺杂开口露出的所述第一轻掺杂部进行离子注入；以及

进行高温退火工艺，以形成所述第一电极。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

对所述第一掺杂开口露出的所述第一轻掺杂部进行离子注入的同时，对所述第二掺杂开口露出的所述第二轻掺杂部进行离子注入；

在形成所述第一电极的同时，进行高温退火工艺，以形成所述第二电极。