[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件

说明书

本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括导电层；在所述导电层表面形成阻隔层；蚀刻所述阻隔层露出部分所述导电层；对露出的部分所述导电层进行掺杂形成第一电极，其中，所述第一电极为源极或者漏极。本申请的技术方案有效缩小了源漏极的尺寸，进而缩小所述半导体器件的尺寸，有利于提高所述半导体器件的集成度。

技术领域

本发明属于半导体元器件技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。

背景技术

随着人们对电子产品的要求向小型化发展，对半导体器件的集成度要求越来越高，在超大规模集成电路发展日益接近物理极限的情况下，在各种不同种类的半导体器件技术上继续缩小关键尺寸以实现性能提升、面积减小及成本降低变得越来越困难。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，有效缩小了源漏极的尺寸，进而缩小所述半导体器件的尺寸，有利于提高所述半导体器件的集成度。

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底，所述衬底包括导电层；

在所述导电层表面形成阻隔层；

蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层；以及

对露出的部分所述导电层进行掺杂以形成第一电极，其中，所述第一电极为源极或者漏极。

其中，所述“蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层”包括：

在所述阻隔层上形成第一光阻层；

对所述第一光阻层进行光罩以形成第一开口，以露出部分所述阻隔层；以及

蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层以露出部分所述导电层。

其中，所述衬底还包括衬底本体，所述导电层包括第一轻掺杂部，所述第一轻掺杂部位于所述衬底本体上，所述第一开口对应所述第一轻掺杂部设置；

所述“蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层露出部分所述导电层”具体为：蚀刻所述第一开口对应的阻隔层以露出部分所述第一轻掺杂部。

其中，所述导电层还包括第二轻掺杂部，所述第二轻掺杂部位于所述衬底本体上并与所述第一轻掺杂部间隔设置，所述制备方法还包括：

在形成所述第一开口的同时，对所述第一光阻层进行光罩以形成第二开口，以露出部分所述阻隔层，其中，所述第二开口对应所述第二轻掺杂部设置。

其中，所述制备方法还包括：

在蚀刻所述第一开口对应的所述阻隔层的同时，蚀刻所述第二开口对应的所述阻隔层，以露出部分所述第二轻掺杂部。

其中，在所述“蚀刻所述阻隔层露出部分所述导电层”之后，所述制备方法还包括：

移除所述第一光阻层。

其中，在所述“蚀刻所述阻隔层露出部分所述导电层”与所述“对露出的部分所述导电层进行掺杂以形成第一电极”之间，所述制备方法还包括：

在所述阻隔层上形成第二光阻层；以及

在所述第二光阻层上形成第一掺杂开口，所述第一掺杂开口露出所述第一轻掺杂部及部分所述阻隔层。

其中，所述制备方法还包括：在所述第二光阻层上形成所述第一掺杂开口的同时，在所述第二光阻层上形成第二掺杂开口，所述第二掺杂开口露出所述第二轻掺杂部及部分所述阻隔层。

其中，所述“对露出的部分所述导电层进行掺杂形成第一电极”包括：对露出的部分所述第一轻掺杂部进行掺杂以形成第一电极。