[发明专利]存储装置以及存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种存储装置的制造方法，包括：

在基底之上隔开间隔形成第1层叠体和第2层叠体；

形成第1绝缘体，所述第1绝缘体具有所述第1层叠体的侧面上的第1部分、所述第2层叠体的侧面上的第2部分、以及所述第1层叠体与所述第2层叠体之间的所述基底之上的第3部分；

利用离子束，一边使所述第1绝缘体的所述第3部分残留，一边使所述第1绝缘体的所述第1部分的一部分和所述第2部分的一部分变薄；以及

在所述第1绝缘体的所述第1部分与所述第1绝缘体的所述第2部分之间形成第2绝缘体。

2.根据权利要求1所述的存储装置的制造方法，

所述第2绝缘体包含具有第1面和与所述第1面相对向的第2面的第1部分，所述第1面与所述第1层叠体的所述第1部分相接，所述第2面与所述第2层叠体的所述第2部分相接。

3.根据权利要求1所述的存储装置的制造方法，

所述第1层叠体或所述第2层叠体包含呈现磁阻效应的元件。

4.根据权利要求1所述的存储装置的制造方法，

使所述第1绝缘体的所述第1部分和所述第1绝缘体的所述第2部分变薄包括：照射相对于所述第1层叠体的所述侧面或所述第2层叠体的所述侧面的延伸方向具有第1角度的离子束。

5.根据权利要求1所述的存储装置的制造方法，

所述第1层叠体或所述第2层叠体包含双向开关元件。

6.一种存储装置，具备：

第1层叠体，位于基底之上，且包含呈现磁阻效应的元件；

第2层叠体，在所述基底之上与所述第1层叠体具有间隔，且包含呈现磁阻效应的元件；以及

绝缘体，包含具有第1面和与所述第1面相对向的第2面的第1部分，所述第1面与所述第1层叠体的侧面相接，所述第2面与所述第2层叠体的侧面相接。