[发明专利]存储装置以及存储装置的制造方法

说明书

实施方式提供一种更高性能的存储装置和存储装置的制造方法。实施方式涉及的存储装置的制造方法包括在基底之上隔开间隔形成第1层叠体以及第2层叠体。形成具有第1层叠体的侧面上的第1部分、第2层叠体的侧面上的第2部分、以及第1层叠体与第2层叠体之间的基底之上的第3部分的第1绝缘体。利用离子束，一边使第1绝缘体的第3部分残留，一边使第1绝缘体的第1部分的一部分和第2部分的一部分变薄。在第1绝缘体的第1部分与第1绝缘体的第2部分之间形成第2绝缘体。

本申请享受以日本专利申请2019－064287号(申请日：2019年3月28日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包含在先申请的全部内容。

技术领域

实施方式大体涉及存储装置以及存储装置的制造方法。

背景技术

已知使用了磁阻效应元件的存储装置。

发明内容

本发明要解决的技术课题在于要提供一种更高性能的存储装置的制造方法。

实施方式涉及的存储装置的制造方法包括在基底之上隔开间隔形成第1层叠体以及第2层叠体。形成第1绝缘体，该第1绝缘体具有上述第1层叠体的侧面上的第1部分、上述第2层叠体的侧面上的第2部分、以及上述第1层叠体与上述第2层叠体之间的上述基底之上的第3部分。利用离子束，一边使上述第1绝缘体的上述第3部分残留，一边使上述第1绝缘体的上述第1部分的一部分以及上述第2部分的一部分变薄。在上述第1绝缘体的上述第1部分与上述第1绝缘体的上述第2部分之间形成第2绝缘体。

附图说明

图1表示第1实施方式的存储装置的功能块。

图2是第1实施方式的一个存储单元的电路图。

图3表示第1实施方式的存储单元阵列的一部分的构造。

图4表示第1实施方式的层叠体的例子以及磁化的状态。

图5表示第1实施方式的存储装置的一部分的制造工序间的状态。

图6表示接着图5的状态。

图7表示接着图6的状态。

图8表示接着图7的状态。

图9表示接着图8的状态。

图10表示接着图9的状态。

图11表示参考用的存储装置的制造工序间的一个状态。

图12表示第2实施方式的存储装置的功能块。

图13是第2实施方式的一个存储单元的电路图。

图14表示第2实施方式的存储单元阵列的一部分的构造。

图15表示第2实施方式的层叠体的例子以及磁化的状态。

图16表示第2实施方式的存储装置的一部分的制造工序间的状态。

图17表示接着图16的状态。

图18表示接着图17的状态。

图19表示接着图18的状态。

图20表示接着图19的状态。

标号说明

1存储装置；11存储单元阵列；12输入输出电路；13控制电路；14行选择电路；15列选择电路；16写入电路；17读出电路；MC存储单元；WL字线；BL、/BL位线；VR电阻变化元件；ST选择晶体管；20基板；21下部电极；22层间绝缘体；24层叠体；26层间绝缘体；31缓冲层；32MTJ元件；321铁磁性体；322绝缘体；323铁磁性体；33盖层；34硬掩模；36可变电阻材料；43层叠体间区域。