[发明专利]用于刷新半导体装置的存储器的设备有效
申请号: | 201910738623.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110827884B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 伊藤丰;持田义史;荒木宏卫 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 刷新 半导体 装置 存储器 设备 | ||
1.一种设备,其包括:
存储器单元阵列;
行锤击刷新电路,其经配置以基于所述存储器单元阵列的存取历史产生行锤击刷新地址;
冗余电路,其经配置以存储所述存储器单元阵列的多个有缺陷地址;以及
行预解码器,其经配置以当所述行锤击刷新地址匹配于所述多个有缺陷地址中的任一者时跳过所述行锤击刷新地址上的刷新操作。
2.根据权利要求1所述的设备,
其中所述冗余电路经配置以响应于第一刷新命令将所述行锤击刷新地址与所述多个有缺陷地址进行比较,且
其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址不匹配于所述多个有缺陷地址中的任一者时响应于第二刷新命令而在所述行锤击刷新地址上执行所述刷新操作。
3.根据权利要求2所述的设备,
其中所述存储器单元阵列包含常规阵列和冗余阵列,且
其中存储于所述冗余电路中的所述多个有缺陷地址经指派于所述常规阵列。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址指示所述冗余阵列中的有效地址时在所述行锤击刷新地址上执行所述刷新操作。
5.根据权利要求4所述的设备,其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址指示所述冗余阵列中的未使用地址时在所述行锤击刷新地址上跳过所述刷新操作。
6.根据权利要求5所述的设备,
其中所述冗余电路包含多个存储器组,所述存储器组中的每一组存储所述常规阵列中的有缺陷地址和指示所述存储器组经启用或未经启用的启用位,且
其中所述冗余电路经配置以当所述行锤击刷新地址是针对所述常规阵列时将所述行锤击刷新地址与所述存储器组中的每一组中的所述有缺陷地址进行比较。
7.根据权利要求6所述的设备,
其中所述冗余电路中的所述存储器组中的每一组具有不同的组地址,且
其中所述冗余电路进一步包含将针对所述冗余阵列的所述行锤击刷新地址转换为行锤击刷新组地址的解码器,所述冗余电路经配置以决定经指派于组地址匹配于所述行锤击刷新组地址的所述存储器组的所述启用位被激活或未被激活。
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括经配置以响应于刷新命令而更新刷新地址的刷新计数器,
其中所述行锤击刷新电路经配置以停止更新所述刷新计数器中的所述刷新地址直到行锤击刷新操作完成为止。
9.一种设备,其包括:
存储器单元阵列;
行锤击刷新电路,其经配置以基于所述存储器单元阵列的存取历史产生行锤击刷新地址;
锁存电路,其经配置以响应于刷新命令的第一次发生而锁存所述行锤击刷新地址;以及
行预解码器,其经配置以响应于所述刷新命令的第二次发生而在所述行锤击刷新地址上执行刷新操作。
10.根据权利要求9所述的设备,
其中所述存储器单元阵列包含常规阵列和冗余阵列,
其中所述常规阵列包含正常存储器单元和有缺陷存储器单元,且
其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址是针对所述常规阵列中的所述正常存储器单元时在所述行锤击刷新地址上执行所述刷新操作。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址是针对所述常规阵列中的所述有缺陷存储器单元时在所述行锤击刷新地址上跳过所述刷新操作。
12.根据权利要求11所述的设备,
其中所述冗余阵列包含代替所述常规阵列中的所述有缺陷存储器单元的所使用存储器单元以及未使用存储器单元,且
其中所述行预解码器经配置以当所述行锤击刷新地址是针对所述冗余阵列中的所述所使用存储器单元时在所述行锤击刷新地址上执行所述刷新操作。
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