[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，其特征在于，包括：

一基底；

多个接垫，设置于该基底上；

一牺牲图案层，设置于该基底上，且具有一侧壁；以及

一发光二极管元件，设置于该牺牲图案层上，并该牺牲图案层支撑该发光二极管元件，其中该发光二极管元件包括：

一第一型半导体层；

一第二型半导体层，相对于该第一型半导体层；

一主动层，位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；

多个电极，分别与该第一型半导体层及该第二型半导体层电性连接；以及

多个连接图案，分别设置于该些电极上，其中该些连接图案的材料包括一可热流动的导电材料，而该些连接图案覆盖该牺牲图案层的该侧壁且电性连接至该些接垫。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管元件的该主动层设置于该发光二极管元件的该些电极和该牺牲图案层之间。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管元件的该些电极设置于该发光二极管元件的该主动层与该牺牲图案层之间。

4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管元件还包括：

一绝缘层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层上，且具有分别与该第一型半导体层与该第二型半导体层重叠的多个开口，该些电极分别通过该绝缘层的该些开口与该第一型半导体层及该第二型半导体层电性连接；

其中，该牺牲图案层接触于该发光二极管元件的该绝缘层及该些连接图案。

5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该些接垫的一与该些连接图案的一接触的一表面与该基底的距离大于该些接垫的另一与该些连接图案的另一接触的一表面与该基底的距离。

6.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该些接垫的一的厚度大于该些接垫的另一的厚度。

7.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，更包括：

一辅助导电图案，设置于该些接垫之一上，且与该些接垫的该一电性连接。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，更包括：

一第一介电层，设置于该些接垫上，且具有一第一接触窗，其中该辅助导电图案设置于该第一介电层上且通过该第一接触窗与该些接垫的该一电性连接。

9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该第一介电层还具有一第二接触窗，该第二接触窗与该些接垫的另一重叠，而该些连接图案的一通过该第二接触窗与该些接垫的该另一电性连接。

10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括：

一第二介电层，设置于该些接垫上，且具有分别与该些接垫重叠的多个接触窗；

多个互连图案，设置于该第二介电层上，且通过该第二介电层的该些接触窗与分别该些接垫电性连接；

其中，该牺牲图案层设置于该第二介电层上，而该发光二极管元件的该些连接图案分别与该些互连图案电性连接。

11.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底以及设置于该基底上的多个接垫；

形成一牺牲材料层于该基底上，以覆盖该些接垫；

设置一发光二极管元件于该牺牲材料层上，其中该发光二极管元件包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的一主动层、分别与该第一型半导体层及该第二型半导体层电性连接的多个电极以及分别设置于该些电极上的多个连接图案，且该些连接图案的材料包括一可热流动导电材料；

图案化该牺牲材料层，以形成一牺牲图案层，且使该发光二极管元件的该些连接图案与该些接垫之间形成多个间隙，其中该牺牲图案层暴露该些接垫的每一个的至少一部分；以及

进行一加热工序，以使该些连接图案流动，而分别与该些接垫电性连接。