[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

一种发光装置，包括基底、设置于基底上的多个接垫、牺牲图案层及设置于牺牲图案层上的发光二极管元件。发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、主动层、多个电极以及分别设置于多个电极上的多个连接图案。多个连接图案的材料包括可热流动的导电材料。多个连接图案覆盖牺牲图案层的侧壁且电性连接至多个接垫。此外，上述发光装置的制造方法也被提出。

技术领域

本发明是有关于一种电子装置及其制造方法，且特别是有关于一种发光装置及其制造方法。

背景技术

转置微元件技术已使用在新兴电子装置的制程中。以发光装置的制程为例，其包括下列步骤：提供具有多个转置凸块的弹性转置头；提供多个发光二极管元件，令弹性转置头的转置凸块与发光二极管元件接触，进而提取所欲的发光二极管元件；利用弹性转置头将发光二极管元件转置到接收基板的接合层上；在载有多个发光二极管元件的接收基板上制作互连层，以使发光二极管元件与接收基板的接垫电性连接。然而，多个发光二极管元件、接收基板的接垫及互连层之间需精准对位，方能使发光二极管元件与接收基板的接垫电性连接，造成发光装置的制造良率独不易提升。

发明内容

本发明提供一种发光装置及其制造方法，制造良率高。

本发明的一种发光装置，包括基底、多个接垫、牺牲图案层及发光二极管元件。多个接垫设置于基底上。牺牲图案层设置于基底上。发光二极管元件设置于牺牲图案层上。发光二极管元件包括第一型半导体层、相对于第一型半导体层的第二型半导体层、位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的主动层、分别与第一型半导体层及第二型半导体层电性连接的多个电极以及分别设置于多个电极上的多个连接图案。多个连接图案的材料包括可热流动的导电材料，而多个连接图案覆盖牺牲图案层的侧壁且电性连接至多个接垫。

本发明的一种发光装置，包括下列步骤：提供基底及设置于基底上的多个接垫；形成牺牲材料层于基底上，以覆盖多个接垫；设置发光二极管元件于牺牲材料层上，其中发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、位于第一型半导体层与第二型半导体层之间的主动层、分别与第一型半导体层及第二型半导体层电性连接的多个电极以及分别设置于多个电极上的多个连接图案，且多个连接图案的材料包括可热流动导电材料。图案化牺牲材料层，以形成牺牲图案层，且使发光二极管元件的多个连接图案与多个接垫之间形成多个间隙，其中牺牲图案层暴露多个接垫的每一个的至少一部分；以及进行加热工序，以使多个连接图案流动，而分别与多个接垫电性连接。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A至图1C为本发明第一实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图2A至图2C为本发明第二实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图3A至图3C为本发明第三实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图4A至图4C为本发明第四实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图5A至图5C为本发明第五实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图6为本发明第五实施例的发光装置的俯视示意图。

图7A至图7F为本发明第六实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图8A至图8F为本发明第六实施例的发光装置的制造流程俯视示意图。

图9A至图9F为本发明第七实施例的发光装置的制造流程剖面示意图。

图10A至图10F为本发明第七实施例的发光装置的制造流程俯视示意图。

其中，附图标记

100、100～100F：发光装置

110：基底