[发明专利]电流传送器电路和方法有效
| 申请号： | 201910741093.6 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110492859B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 马修·理查德·米勒;特瑞·麦凯恩 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03G1/00;H03G3/30 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 传送 电路 方法 | ||
1.一种电流传送器电路，其特征在于，包括：
用于接收输入信号的低噪声放大器；
耦合到所述低噪声放大器的第一下混频器；
耦合到所述第一下混频器的第一电流传送器，其中所述第一电流传送器包括：正输入端、负输入端、第一晶体管和第二晶体管，所述正输入端耦合到所述第一晶体管的源级，所述负输入端耦合到所述第二晶体管的源级，所述第一晶体管的衬底耦合到所述第二晶体管的源级，所述第二晶体管的衬底耦合到所述第一晶体管的源级；所述第一晶体管的栅级和所述第二晶体管的栅级耦合到第一偏置电压；
耦合到所述第一电流传送器的第一信道滤波器。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电流传送器还包括：第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的源级耦合到所述第一晶体管的漏级，所述第四晶体管的源级耦合到所述第二晶体管的漏级。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管的衬底耦合到所述第三晶体管的源级，以及所述第四晶体管的衬底耦合到所述第四晶体管的源级。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电路，其特征在于，所述第一电流传送器还包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的耦合于所述第一晶体管的源级与接地端之间，所述第二电阻耦合于所述第二晶体管的源级与所述接地端之间。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，
所述第一电流传送器还包括：第三电阻和第四电阻，所述第三电阻耦合于第三晶体管的漏级与供电电压端之间，所述第一电路传送器的正输出端耦合于所述第三晶体管的漏级；
所述第四电阻耦合于第四晶体管的漏级与所述供电电压端之间，所述第一电流传送器的负输出端耦合于所述第四晶体管的漏级。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一电流传送器还包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管与所述第六晶体管均采用自偏置架构，所述第五晶体管耦合于第三晶体管与供电电压端之间，所述第六晶体管耦合于第四晶体管与所述供电电压端之间。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第一电流传送器还包括第二电容器，所述第五晶体管与所述第六晶体的栅极耦合，所述第二电容器耦合于所述供电电压端与所述第五晶体管的栅极。
8.根据权利要求1-3、5-7任一项所述的电路，其特征在于，所述电路集成在单一集成电路上。
9.根据权利要求1-3、5-7任一项所述的电路，其特征在于，所述电路还包括数字滤波器，所述数字滤波器与所述第一信道滤波器耦合。
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