[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

N型的第1阱区域；

P型的源极扩散层及漏极扩散层，设置在所述第1阱区域的上表面；

第1栅极绝缘层，设置在所述P型的源极扩散层、及P型的漏极扩散层间的所述第1阱区域之上；

P型的第1半导体层，设置在所述第1栅极绝缘层之上；

第2半导体层，介隔第1绝缘层设置在所述第1半导体层之上；

P型的第3半导体层，介隔第2绝缘层设置在所述第2半导体层之上，且包含硼；以及

第1导电层，介隔第3绝缘层设置在所述第3半导体层之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备：

N型的源极扩散层及漏极扩散层，具有介隔元件分离膜而与所述第1阱区域相邻设置的P型的第2阱区域，设置在所述第2阱区域的上表面；

第2栅极绝缘层，设置在所述N型的源极扩散层、及N型的漏极扩散层间的所述第2阱区域之上；

N型的第4半导体层，设置在所述第2栅极绝缘层之上；

第5半导体层，介隔第4绝缘层设置在所述第4半导体层之上，上层包含磷(P)离子且下层不包含杂质；

第6半导体层，介隔第5绝缘层设置在所述第5半导体层之上；以及

第2导电层，介隔第6绝缘层设置在所述第6半导体层之上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中设置在所述第1阱区域及所述第2阱区域的分别为P型MOSFET及N型MOSFET。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还具备分别积层着多个存储单元的多个存储单元柱，

所述P型MOSFET及N型MOSFET构成对所述存储单元进行控制的周边电路的一部分。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第2绝缘层及所述第5绝缘层为自然氧化膜。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第3绝缘层及所述第6绝缘层为自然氧化膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述第3半导体层还包含碳。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中在所述第1半导体层的所述第1栅极绝缘层的附近区域包含碳。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述第2半导体层的杂质浓度比所述第1半导体层的杂质浓度低，或所述第2半导体层不包含杂质。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中所述第1绝缘层的膜厚为不损及所述第1半导体层及所述第2半导体层之间的导电性的程度的厚度，

所述第2绝缘层的膜厚为不损及所述第2半导体层及所述第3半导体层之间的导电性的程度的厚度，

所述第3绝缘层的膜厚为不损及所述第3半导体层及所述第1导电层之间的导电性的程度的厚度。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第3绝缘层的膜厚与所述第6绝缘层的膜厚为相同程度。

12.一种半导体装置，具备：

P型的第1阱区域；

N型的源极扩散层及漏极扩散层，设置在所述第1阱区域的上表面；

第1栅极绝缘层，设置在所述N型的源极扩散层、及N型的漏极扩散层间的所述第1阱区域之上；

N型的第1半导体层，设置在所述第1栅极绝缘层之上；

第2半导体层，介隔第1绝缘层设置在所述第1半导体层之上；

N型的第3半导体层，介隔第2绝缘层设置在所述第2半导体层之上，包含比所述第2半导体层高的浓度的磷；以及

第1导电层，介隔第3绝缘层设置在所述第3半导体层之上。