[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种高品质的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：N型的第1阱区域；P型的源极扩散层及漏极扩散层，设置在所述第1阱区域的上表面；第1栅极绝缘层，设置在所述P型的源极扩散层及P型的漏极扩散层间的所述第1阱区域上；P型的第1半导体层，设置在所述第1栅极绝缘层之上；第2半导体层，介隔第1绝缘层设置在所述第1半导体层之上；P型的第3半导体层，介隔第2绝缘层设置在所述第2半导体层之上，且包含硼；以及第1导电层，介隔第3绝缘层设置在所述第3半导体层之上。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2019-53654号(申请日：2019年3月20日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

作为半导体装置之一，已知有超低耐压(Very Low Voltage)晶体管。超低耐压晶体管是以高速动作为目的的晶体管。然而，存在超低耐压晶体管根据栅极电极的结构，在超低耐压晶体管的制造中导致晶体管的特性劣化的情况。

发明内容

实施方式提供一种高品质的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：N型的第1阱区域；P型的源极扩散层及漏极扩散层，设置在所述第1阱区域的上表面；第1栅极绝缘层，设置在所述P型的源极扩散层及P型的漏极扩散层间的所述第1阱区域上；P型的第1半导体层，设置在所述第1栅极绝缘层之上；第2半导体层，介隔第1绝缘层设置在所述第1半导体层上；P型的第3半导体层，介隔第2绝缘层设置在所述第2半导体层上，且包含硼；以及第1导电层，介隔第3绝缘层设置在所述第3半导体层上。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的构成例的框图。

图2是表示实施方式的半导体装置所具备的存储单元阵列的电路构成的电路图。

图3是表示实施方式的半导体装置所具备的存储单元阵列的平面布局的一例的俯视图。

图4是表示实施方式的半导体装置所具备的存储单元阵列的截面结构的一例的剖视图。

图5是表示构成实施方式的半导体装置所具备的存储单元阵列的一部分的存储器柱的截面结构的一例的剖视图。

图6是表示实施方式的半导体装置所具备的PMOS晶体管及NMOS晶体管的截面结构的一例的剖视图。

图7是表示实施方式的半导体装置的制造工序的一例的流程图。

图8～图18是表示实施方式的半导体装置的制造工序的一例的PMOS晶体管及NMOS晶体管形成区域的剖视图。

图19～图21是表示实施方式的比较例的半导体装置的制造工序的一例的PMOS晶体管及NMOS晶体管形成区域的剖视图。

图22是表示实施方式的半导体装置的制造工序的效果的PMOS晶体管及NMOS晶体管形成区域的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。各实施方式例示了用来使发明的技术性思想具体化的装置或方法。附图是示意性或概念性的图，各附图的尺寸及比率等未必与实物相同。本发明的技术思想并非由构成要素的形状、结构、配置等特定。

此外，在以下的说明中，对具有大致相同的功能及构成的构成要素标注相同符号。构成参照符号的文字之后的数字通过包含相同的文字的参照符号来参照，且是为了将具有相同的构成的要素彼此区别而使用。在无须将由包含相同的文字的参照符号所示的要素相互区别的情况下，这些要素分别通过仅包含文字的参照符号来参照。

1实施方式