[发明专利]有源矩阵基板及X射线摄像面板有效
申请号: | 201910742131.X | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110854143B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 中野文树;中泽淳;森胁弘幸;泷田力也 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 射线 摄像 面板 | ||
有源矩阵基板在由栅极线和数据线限定的像素(P)中具有光电转换元件(42)。光电转换元件(42)与偏置布线连接,偏置布线与向偏置布线供给偏置电压的偏置端子(11)连接。偏置端子(11)与由非线性元件构成的第一保护电路(21)连接。第一保护电路(21)以反向偏置状态在供给高于偏置电压的规定电压的第一布线(31)与偏置端子(11)之间被连接。
技术领域
以下公开的发明涉及有源矩阵基板及X射线摄像面板。
背景技术
以往已知具有用于保护开关元件等驱动用元件免受静电影响的保护电路的有源矩阵基板。日本特开2009-260305号公报中公开了一种包括受光元件、具有多个晶体管的集成电路和保护二极管的光集成电路。作为保护二极管而使用光电二极管,受光元件和集成电路分别与一个或多个保护二极管连接。各保护二极管以在受光元件和/或集成电路与端子之间串联或并联的方式设置。该光集成电路使用光电二极管作为保护二极管,由此确保比晶体管宽的pn接合面,抑制因浪涌电流引起的电场集中使保护二极管绝缘破坏。
但是,在上述光集成电路中,各保护二极管的阴极与受光元件连接,因此在保护二极管的正向偏置方向上流通更大的浪涌电流的情况下,存在电流从保护二极管的阴极流入受光元件,从而受光元件被破坏的可能。
发明内容
为了解决上述课题,以下公开的有源矩阵基板包括:栅极线;数据线,其与所述栅极线交叉;光电转换元件,其设置在由栅极线和数据线被限定的像素中;偏置布线,其与所述光电转换元件连接;偏置端子,其与所述偏置布线连接,向所述偏置布线供给偏置电压;第一布线,其被供给高于所述偏置电压的规定电压;以及第一保护电路,其由非线性元件构成,且在所述偏置端子与所述第一布线之间以反向偏置状态连接。
根据上述构成,设置在有源矩阵基板上的光电转换元件不易受到静电破坏。
附图说明
图1是表示第一实施方式中的有源矩阵基板的概略构成的俯视图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的像素区域的概略构成的俯视图。
图3是表示第一实施方式中的像素的概略构成的等效电路图。
图4是第一实施方式中的与TFT及光电转换元件连接的偏置端子、数据端子及栅极端子和保护电路的等效电路图。
图5是第一实施方式中的像素的概略剖视图。
图6是第一实施方式中的保护电路的概略剖视图。
图7是表示第二实施方式中的有源矩阵基板的概略构成的俯视图。
图8是第二实施方式中的与TFT及光电转换元件连接的偏置端子、数据端子及栅极端子和保护电路的等效电路图。
图9是第三实施方式中的像素的概略剖视图。
图10是第三实施方式中的保护电路的概略剖视图。
图11是第四实施方式中的与TFT及光电转换元件连接的偏置端子、数据端子及栅极端子和保护电路的等效电路图。
图12是第四实施方式中的保护电路的概略剖视图。
具体实施方式
以下参照附图详细说明发明的实施方式。对图中相同或相当的部分标注同一附图标记并不对其做重复说明。
[第一实施方式]
(构成)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的