[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

有源区，从所述衬底向上突出；

多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及

隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，

其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区的所述第一侧壁包括下部和上部，以及

其中，在所述第二方向上从所述第一侧壁的所述上部到所述第一有源鳍的距离小于在所述第二方向上从所述第一侧壁的所述下部到所述第一有源鳍的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第二有源鳍相邻的第二侧壁相对于所述衬底的所述上表面具有恒定的斜率，所述第二有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的与所述第一边缘相对的第二边缘上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

突出部，在所述第一有源鳍与所述有源区的所述第一侧壁之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述突出部的上表面低于所述隔离结构的上表面。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二有源鳍的侧壁直接接触所述有源区的所述第二侧壁。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述隔离结构包括在所述第二方向上设置的第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一隔离图案的上表面、所述第二隔离图案的上表面和所述第三隔离图案的上表面设置在相同的高度处。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一隔离图案覆盖所述多个有源鳍中的每一个的所述侧壁的所述下部，所述第二隔离图案覆盖所述有源区的所述第二侧壁的上部，以及所述第三隔离图案覆盖所述有源区的所述第二侧壁的下部。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，两个有源鳍设置在所述有源区上。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极结构，分别设置在所述多个有源鳍和所述隔离结构上，所述栅极结构在所述第二方向上延伸；以及

源极层/漏极层，与所述栅极结构相邻地设置在所述多个有源鳍上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

突出部，设置在所述第一有源鳍与所述有源区的所述第一侧壁之间，

其中，所述源极层/漏极层未设置在所述突出部上。

13.一种半导体器件，包括：

衬底；

有源区，从所述衬底向上突出，所述有源区包括：

下部，在与所述衬底的上表面平行的第二方向上具有第一宽度；以及

上部，设置在所述下部上，所述上部在所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度；

有源鳍，从所述有源区向上突出并在第一方向上延伸，所述第一方向平行于所述衬底的所述上表面并与所述第二方向交叉；以及

隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述有源鳍的侧壁的下部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述有源区在所述第二方向上的第一侧壁在所述有源区的所述上部与所述有源区的所述下部之间的边界处弯曲。