[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201910742197.9 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN111029405A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 全永斗;朴韩蔚;朴世镇;郑鲁永 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 范心田 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
提供了一种半导体器件,包括:衬底;有源区,从所述衬底向上突出;多个有源鳍,从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸,所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上;以及隔离结构,设置在所述衬底上,所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部,其中,所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状,所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月10日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0120153的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
示例实施例涉及半导体器件。更具体地,示例实施例涉及包括鳍式场效应晶体管(finFET)的半导体器件。
背景技术
当形成finFET时,在执行浅沟槽隔离(STI)工艺以形成有源鳍之后,在有源鳍之间形成隔离层,以及可以执行所谓的深沟槽隔离(DTI)工艺,其中仅期望区域中的一些有源鳍被留下,并且剩余区域中的其他有源鳍使用蚀刻掩模通过蚀刻工艺被去除。然而,当执行DTI工艺以去除隔离层和有源鳍时,蚀刻轮廓可以不是竖直的,因此待去除的相邻有源鳍的一部分可以保留以产生重影鳍(ghost fin)。可能在重影鳍上形成不期望的源极层/漏极层,因此可能发生电短路。
发明内容
示例实施例提供了一种包括具有改进特性的finFET的半导体器件。
根据示例实施例的一方面,提供了一种半导体器件,包括:衬底;有源区,从所述衬底向上突出;多个有源鳍,从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸,所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上;以及隔离结构,设置在所述衬底上,所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部,其中,所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状,所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
根据示例实施例的另一方面,提供了一种半导体器件,包括:衬底;有源区,从所述衬底向上突出,所述有源区包括:下部,在与所述衬底的上表面平行的第二方向上具有第一宽度;以及上部,设置在所述下部上,所述上部在所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度;有源鳍,从所述有源区向上突出并在第一方向上延伸,所述第一方向与所述衬底的所述上表面平行并与所述第二方向交叉;以及隔离结构,设置在所述衬底上,所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述有源鳍的侧壁的下部。
根据示例实施例的另一方面,提供了一种半导体器件,包括:衬底;有源区,从所述衬底向上突出;多个有源鳍,从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸,所述有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上;隔离结构,设置在所述衬底上,所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部;栅极结构,分别设置在所述多个有源鳍和所述隔离结构上,所述栅极结构在所述第二方向上延伸;以及源极层/漏极层,与所述栅极结构相邻地设置在所述多个有源鳍上,其中,所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状,所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
附图说明
从结合附图对示例实施例的以下描述中,上述和/或其他方面将变得清楚明白并且更容易理解,其中:
图1至图19是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的平面图和截面图;
图20至图22是示出了根据相关的示例的制造半导体器件的方法的截面图;
图23至图28是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的截面图;以及
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