[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910742348.0 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110571245B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基板、栅极叠层、源漏电极层、存储电容和发光结构;其中,
所述发光结构包括阳极;所述发光结构位于所述存储电容上方,所述发光结构的出光面朝向所述存储电容;
所述源漏电极层为透明电极,所述源漏电极层包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第二部分通过层间介质层的第一通孔与有源区连接;所述阳极通过第二通孔与所述第一部分连接,所述有源区、所述栅极叠层和源漏电极层位于发光结构的下方,其中,所述源漏电极层的面积大于或等于所述有源区的面积的两倍,所述源漏电极层在所述基板上的投影所包围的区域完全覆盖所述有源区和所述阳极在所述基板上的投影范围区域;所述存储电容的第一极板包括电连接的所述阳极和有源区,所述存储电容的第二极板为所述第三部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光结构包括发光材料和阴极;其中,
所述阳极为透明电极;
所述发光材料位于所述阳极和阴极之间;
所述阴极为反射电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述透明电极为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或氟掺杂的氧化锡中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述反射电极为银、铝、铜、金中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源区为铟镓锌氧化物薄膜。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
缓冲层,所述缓冲层位于所述基板上;
所述有源区位于所述缓冲层上,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
所述栅极叠层位于所述有源区上方,并覆盖所述沟道区;
层间介质层,所述层间介质层覆盖所述有源区和栅极叠层;
所述源漏电极层位于所述层间介质层上方;
平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源漏电极层;
所述阳极位于所述平坦化层上;
所述发光结构位于所述阳极上。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供基板;
形成层覆盖所述基板的缓冲层;
形成有源区,所述有源区位于所述缓冲层上,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
在所述有源区上方形成覆盖所述沟道区的栅极叠层;
形成覆盖所述有源区和栅极叠层的层间介质层;
形成位于所述层间介质层上方的源漏电极层,所述源漏电极层为透明电极,所述源漏电极层包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分和所述第二部分通过层间介质层的第一通孔与所述有源区连接;
形成平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源漏电极层;
形成阳极,所述阳极位于所述平坦化层上,所述阳极与所述有源区电连接,构成所述显示面板的存储电容的第一极板;所述阳极通过第二通孔与所述第一部分连接,所述第三部分构成所述显示面的存储电容的第二极板;
形成发光结构,所述发光结构位于所述阳极上,所述有源区、所述栅极叠层和所述源漏电极层位于发光结构的下方;
其中,所述源漏电极层的面积大于或等于所述有源区的面积的两倍,所述源漏电极层在所述基板上的投影所包围的区域完全覆盖所述有源区和所述阳极在所述基板上的投影范围区域。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成所述发光结构的方法包括以下步骤:
形成阳极,所述阳极位于所述平坦化层上,且所述阳极为透明电极;
形成发光材料,所述发光材料位于所述阳极上;
形成阴极,所述阴极覆盖所述发光材料,且所述阴极为反射电极。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述透明电极为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或氟掺杂的氧化锡中的一种或多种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的