[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910742348.0 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110571245B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请提供了一种显示面板及其制作方法。所述显示面板包括存储电容和发光结构。所述发光结构位于所述存储电容上方,所述发光结构的出光面朝向所述存储电容。所述存储电容的第一极板包括电连接的阳极和有源区,所述存储电容的第二极板包括源漏电极层,所述源漏电极层为透明电极。本申请提供的一种显示面板及其制作方法能够提高底发光式OLED显示面板的开口率。
技术领域
本申请涉及电子显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示面板的对比度高、可视角度广且响应速度快,有望取缔液晶显示面板成为下一代显示器主流选择。
目前,大尺寸OLED显示面板采用3T1C驱动电路,其开口率大概在20%~30%之间。现有的底发光式显示面板中,有机层发出的光需要穿过驱动电路的各个膜层射出,由于电容区的金属不透光,光线无法穿透,因此通常将3T1C像素驱动电路的开口区和存储电容分开设计,如图1所示,从而降低了像素点的开口率。同时,由于像素点中的像素图案集中在一个狭小的空间内,很容易造成短路、断路等电性不良,降低了产品良率。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以提高底发光式OLED显示面板的开口率。
为解决上述问题,本申请提供了一种显示面板,所述显示面板包括存储电容和发光结构;其中,
所述发光结构位于所述存储电容上方,所述发光结构的出光面朝向所述存储电容;
所述存储电容的第一极板包括电连接的阳极和有源区,所述存储电容的第二极板包括源漏电极层,所述源漏电极层为透明电极。
根据本申请的其中一个方面,所述发光结构包括阳极、发光材料和阴极;其中,
所述阳极为透明电极;
所述发光材料位于所述阳极和阴极之间;
所述阴极为反射电极。
根据本申请的其中一个方面,所述透明电极为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或氟掺杂的氧化锡中的一种或多种的组合。
根据本申请的其中一个方面,所述反射电极为银、铝、铜、金中的一种或多种的组合。
根据本申请的其中一个方面,所述有源区为所述有源区为铟镓锌氧化物薄膜。
根据本申请的其中一个方面,所述显示面板包括:
基板;
缓冲层,所述缓冲层位于所述基板上;
所述有源区位于所述缓冲层上,所述有源区包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏区;
栅极叠层,所述栅极叠层位于所述有源区上方,并覆盖所述沟道区;
层间介质层,所述层间介质层覆盖所述有源区和栅极叠层;
所述源漏电极层位于所述层间介质层上方,通过贯穿所述层间介质层的第一通孔与所述源漏区电连接;
平坦化层,所述平坦化层覆盖所述源漏电极层;
所述阳极位于所述平坦化层上,通过第二通孔与所述源漏电极层电连接;
发光结构,所述发光结构位于所述阳极上。
根据本申请的其中一个方面,所述源漏电极层的面积大于或等于所述有源区的面积的两倍,所述源漏电极层在所述基板上的投影完全覆盖所述有源区和阳极在所述基板上的投影。
相应的,本申请还提供了一种显示面板的制作方法,该方法包括以下步骤:
提供基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的