[发明专利]工作单元模组的半导体结构

权利要求书

1.一种工作单元模组的半导体结构，其特征在于，包含：

一P型基底，定义有一晶片区与一环绕区，该晶片区用以配置一工作晶片，该环绕区环绕该晶片区，包含彼此相对的二第一条型区与彼此相对的二第二条型区，每一该些第一条型区位于该些第二条型区之间，每一该些第二条型区位于该些第一条型区之间；以及

一环绕式杂讯抵抗结构，位于该环绕区上，且围绕该晶片区，该环绕式杂讯抵抗结构包含：

多个第一串列，间隔并排于该些第一条型区其中之一内，每一该些第一串列与该其中一第一条型区相互平行，每一该些第一串列包含多个第一排列单元，该些第一排列单元为单列间隔排列，每一该些第一排列单元包含一第一氧化扩散单元，该第一氧化扩散单元具有一第一长轴方向；以及

多个第二串列，间隔并排于该些第二条型区其中之一内，每一该些第二串列与该其中一第二条型区相互平行，每一该些第二串列包含多个第二排列单元，该些第二排列单元为单列间隔排列，每一该些第二排列单元包含一第二氧化扩散单元，该第二氧化扩散单元具有不同该第一长轴方向的一第二长轴方向。

2.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，每一该些第二长轴方向与每一该些第一长轴方向彼此正交，且该其中一第一条型区与该其中一第二条型区彼此正交。

3.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，该晶片区具有相互邻接的第一侧边与第二侧边，该其中一第一条型区邻接该第一侧边，且该其中一第二条型区邻接该第二侧边。

4.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，该些第一串列的该些第一氧化扩散单元彼此交错地排列或对齐地排列。

5.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，该些第二串列的该些第二氧化扩散单元彼此交错地排列或对齐地排列。

6.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，该环绕式杂讯抵抗结构还包含：

多个第一浅沟槽隔离结构，每一该些第一浅沟槽隔离结构形成于任二相邻的该些第一氧化扩散单元之间，每一该些第一浅沟槽隔离结构的阻抗大于该些第一氧化扩散单元其中之一的阻抗。

7.根据权利要求6所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，该环绕式杂讯抵抗结构还包含：

多个第二浅沟槽隔离结构，每一该些第二浅沟槽隔离结构形成于任二相邻的该些第二氧化扩散单元之间，每一该些第二浅沟槽隔离结构的阻抗大于该些第二氧化扩散单元其中之一的阻抗。

8.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，每一该些第一氧化扩散单元具有一第一宽度，任二相邻的该些第一串列之间具有一第一间距，该第一间距不大于该第一宽度。

9.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，每一该些第二氧化扩散单元具有一第二宽度，任二相邻的该些第二串列之间具有一第二间距，该第二间距为该第二宽度的2～3倍。

10.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，每一该些第二氧化扩散单元的长度大于每一该些第一氧化扩散单元的长度。

11.根据权利要求1所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，还包含：

一金属层，位于该P型基底上，其中该环绕式杂讯抵抗结构位于该P型基底与该金属层之间，

其中每一该些第一排列单元更具有至少一第一虚置栅极，该第一虚置栅极位于该金属层与该第一氧化扩散单元之间，且与该金属层电性绝缘。

12.根据权利要求11所述的工作单元模组的半导体结构，其特征在于，每一该些第二排列单元具有至少一第二虚置栅极，该第二虚置栅极位于该金属层与该第二氧化扩散单元之间，且与该金属层电性绝缘。