[发明专利]工作单元模组的半导体结构有效

专利信息
申请号: 201910742707.2 申请日: 2019-08-13
公开(公告)号: CN112397482B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 曾丽雅;于维成;李伯彦;王文泰 申请(专利权)人: 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 工作 单元 模组 半导体 结构
【说明书】:

一种工作单元模组的半导体结构包含一P型基底与一环绕式杂讯抵抗结构。P型基底定义有一晶片区与一环绕区。晶片区用以配置一工作晶片。环绕区环绕晶片区,包含二第一条型区与二第二条型区。每个第一条型区位于第二条型区之间,每个第二条型区位于第一条型区之间。环绕式杂讯抵抗结构位于环绕区上,包含多个第一排列单元与多个第二排列单元。第一排列单元单列间隔排列于第一条型区内。第二排列单元单列间隔排列于第二条型区内,第二排列单元的长轴方向不同于第一排列单元的长轴方向。如此,通过以上架构,第一排列单元与第二排列单元提高了阻抗,降低了外来的电磁波对工作晶片的伤害而影响工作晶片正常工作的机会。

技术领域

发明有关于一种半导体结构,尤指一种工作单元模组的半导体结构。

背景技术

随着半导体技术的发展,传统通讯电路模组包含主要晶片与多个工作单元(例如串行器/解串器,SERializer/DESerializer,serdes)。这些工作单元围绕主要晶片。每个工作单元的周围设置一杂讯隔离结构,以供隔离或至少降低遭受杂讯干扰的机会。

然而,由于杂讯隔离结构的排列特性过于一致,无法顾全工作单元的全部范围,使得外来的电磁波(如杂讯)沿特定方向穿过杂讯隔离结构的其中一侧而到达工作单元内,导致伤害且影响工作单元的正常工作。

发明内容

本发明的一实施例提供了一种工作单元模组的半导体结构。此半导体结构包含一P型基底与一环绕式杂讯抵抗结构。P型基底定义有一晶片区与一环绕区。晶片区用以配置一工作晶片。环绕区环绕晶片区,包含彼此相对的二第一条型区与彼此相对的二第二条型区。每个第一条型区位于第二条型区之间,每个第二条型区位于第一条型区之间。环绕式杂讯抵抗结构位于环绕区上,且围绕晶片区。环绕式杂讯抵抗结构包含多个第一串列与多个第二串列。第一串列间隔并排于其中一第一条型区内。每个第一串列与此第一条型区相互平行。每个第一串列包含多个第一排列单元。这些第一排列单元为单列间隔排列。每个第一排列单元包含一第一氧化扩散单元,第一氧化扩散单元具有一第一长轴方向。这些第二串列间隔并排于其中一第二条型区内。每个第二串列与此第二条型区相互平行。每个第二串列包含多个第二排列单元。这些第二排列单元为单列间隔排列。每个第二排列单元具有一第二长轴方向。第二长轴方向不同第一长轴方向。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,每个第二长轴方向与每个第一长轴方向彼此正交,且第一条型区与第二条型区彼此正交。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,晶片区具有相互邻接的第一侧边与第二侧边。此第一条型区邻接第一侧边,且第二条型区邻接第二侧边。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,这些第一串列的第一氧化扩散单元彼此交错地排列或对齐地排列。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,这些第二串列的第二氧化扩散单元彼此交错地排列或对齐地排列。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,环绕式杂讯抵抗结构还包含多个第一浅沟槽隔离结构。每个第一浅沟槽隔离结构形成于任二相邻的第一氧化扩散单元之间。第一浅沟槽隔离结构的阻抗大于第一氧化扩散单元的阻抗。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,环绕式杂讯抵抗结构还包含多个第二浅沟槽隔离结构。每个第二浅沟槽隔离结构形成于任二相邻的第二氧化扩散单元之间。每个第二浅沟槽隔离结构的阻抗大于第二氧化扩散单元的阻抗。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,每个第一氧化扩散单元具有一第一宽度。任二相邻的第一串列之间具有一第一间距。第一间距不大于第一宽度。

依据本发明一或多个实施例,在上述的半导体结构中,每个第二氧化扩散单元具有一第二宽度。任二相邻的第二串列之间具有一第二间距。第二间距为第二宽度的2~3倍。

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