[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201910743566.6 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110571246A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 闫莹 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开孔 像素定义层 阵列基板 挡墙 基板 显示装置 制备 非发光区 墨水混色 有效减少 发光区 | ||
1.一种阵列基板,包括发光区和围绕所述发光区的非发光区,其特征在于,还包括
基板;
像素定义层,设于所述基板上,所述像素定义层中包括开孔和围绕所述开孔的挡墙,其中所述挡墙对应非发光区,所述开孔对应发光区;
相邻两个开孔之间的所述挡墙远离所述基板的一侧设有的凹槽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述挡墙远离所述基板的一侧为外凸的弧形、外凸的锥形、外凸棱形中的一种,所述凹槽设于所述挡墙远离所述基板的一侧的中间位置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述凹槽的开口宽度在20~50微米之间,所述凹槽的开口深度为0.5~1微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
任一所述开孔内均设有像素层,所述像素层包括红色像素层、绿色像素层和蓝色像素层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素定义层的材料为疏水疏油材料。
6.一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括发光区和围绕所述发光区的非发光区,其特征在于,包括
提供一基板;
像素定义层制备步骤:在所述基板上形成像素定义层,在所述像素定义层对应所述发光区开设开孔,所述开孔贯穿所述像素定义层;
开槽步骤:相邻所述开孔之间的所述像素定义层形成挡墙,在所述挡墙远离所述基板一侧开设凹槽。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述挡墙远离所述基板一侧形成有外凸圆弧表面。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
在所述像素定义层制备步骤中,采用狭缝掩膜板制备所述外凸圆弧表面。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
在所述开槽步骤中,采用半色调掩膜板在所述挡墙上开设所述凹槽。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任意一项所述阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的