[发明专利]基于氩氦的涂覆

权利要求书

1.一种溅射系统，包括：

基底；以及

至少一个靶，

其中所述至少一个靶包括至少一种涂覆材料以将至少一个层涂覆到所述基底上，

其中所述至少一种涂覆材料在惰性气体的存在下溅射到所述基底上，

其中所述惰性气体包括氩气和氦气。

2.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与大约1∶1至大约1∶3之间的氩气与氦气的比率相关联。

3.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述惰性气体与15％至55％的氦气相关联。

4.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一种涂覆材料在用于使所述至少一种涂覆材料氢化的氢气的存在下溅射到所述基底上。

5.根据权利要求4所述的溅射系统，其中，所述氢气与约8％至约20％的浓度相关联。

6.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一个层包括第一类型材料的第一组层和第二类型材料的第二组层。

7.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述溅射系统是脉冲直流磁控溅射系统。

8.根据权利要求1所述的溅射系统，其中，所述至少一个层的退火后内应力水平小于阈值。

9.一种涂覆系统，包括：

真空室；和

惰性气体源，其用于将惰性气体置于所述真空室中，

其中所述惰性气体包括氩气和氦气的混合物，

其中所述涂覆系统被配置成使用所述惰性气体源将涂覆材料溅射到基底上。

10.根据权利要求9所述的涂覆系统，其中，所述惰性气体源是等离子体活化源或阳极中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的涂覆系统，还包括：

提供所述涂覆材料的涂覆材料源。

12.根据权利要求11所述的涂覆系统，其中，所述涂覆材料源是设置在阴极上的靶。

13.根据权利要求9所述的涂覆系统，还包括至少一个电源，以使所述惰性气体被置于所述真空室中，从而将所述涂覆材料溅射到所述基底上。

14.根据权利要求9所述的涂覆系统，其中，所述涂覆材料包括以下项中的至少一种：

硅材料，

二氧化硅材料，

硅锗材料，或者

锗材料。

15.根据权利要求9所述的涂覆系统，其中，所述涂覆系统被配置成将所述涂覆材料溅射到所述基底上以形成光学滤波器。

16.根据权利要求15所述的涂覆系统，其中，所述光学滤波器与大约700纳米(nm)和2500nm之间或大约2500nm和8000nm之间的通带相关联。

17.一种方法，包括：

通过溅射系统将溅射气体注入所述溅射系统的腔室中，其中所述溅射气体是氩气和氦气的混合物；和

基于将所述溅射气体注入所述溅射系统的腔室中，通过所述溅射系统将至少一种涂覆材料溅射到设置在所述溅射系统的腔室中的基底上。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述至少一种涂覆材料溅射到所述基底上包括：

使用设置在所述溅射系统的腔室中的阳极和阴极将所述至少一种涂覆材料溅射到所述基底上。