[发明专利]溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体

权利要求书

1.一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，

Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部的晶相相比（Ga，In）₂O₃相的面积比率为90%以上。

2.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述Ga/In的原子比为0.95以上且为1.05以下。

3.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95%以上。

4.如权利要求2所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95%以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的相对密度为94%以上。

6.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×10³Ω・cm以下。

7.如权利要求5所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×10³Ω・cm以下。

8.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，在溅射气体中的氧含量从0体积%变化到3体积%进行溅射膜的成膜的情况下，该溅射膜的功函数在5.0～6.0eV的范围内。

9.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件是圆筒状或平板状。

10.一种溅射靶，具备如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件和基材。

11.一种如权利要求1～9中任一项所述的溅射靶部件的制造方法，包括：

混合步骤，以Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下的方式混合In₂O₃粉末和Ga₂O₃粉末得到混合粉末；

烧结步骤，在烧结温度超过1400℃且小于1600℃下烧结所述混合粉末得到烧结体。

12.如权利要求11所述的溅射靶部件的制造方法，其中，所述烧结温度为1450℃～1550℃。

13.如权利要求11或12所述的溅射靶部件的制造方法，其中，在所述烧结步骤中，烧结保持时间为5～20小时。

14.一种溅射膜的制造方法，包括使用如权利要求1～9中任一项所述的溅射靶部件进行溅射膜的成膜的成膜步骤，其中，所述溅射膜：

由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，

Ga/In的原子比为0.85以上且为1.15以下，波长633nm下的折射率为1.9～2.1，功函数为5.0～6.0eV。

15.如权利要求14所述的溅射膜的制造方法，其中，所述溅射膜的体积电阻率为1.0Ω・cm以下。

16.如权利要求14所述的溅射膜的制造方法，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。

17.如权利要求15所述的溅射膜的制造方法，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。

18.如权利要求14～17中任一项所述的溅射膜的制造方法，其中，所述溅射膜是非晶体。

19.一种溅射膜的制造方法，包括使用如权利要求1～9中任一项所述的溅射靶部件进行溅射膜的成膜的成膜步骤。