[发明专利]溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体

说明书

提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)₂O₃相的面积比率为90％以上。

技术领域

本发明涉及一种溅射靶部件、溅射靶部件的制造方法、溅射靶、溅射膜、溅射膜的制造方法、膜体、层叠结构体以及有机EL装置。

背景技术

有机电致发光(EL)装置，具备夹持在上部电极(阴极)和下部电极(阳极)这一对电极之间的有机层。作为有机层，已知包括有机空穴传输层和有机发光层，从下部电极注入的空穴和从上部电极注入的电子，在有机发光层再次结合从而形成激发态，当回到基态时产生发光。在有机空穴传输层以及有机发光层中，为了高效率地注入空穴以及电子，典型地，上部电极使用具有较低的功函数的金属，下部电极使用具有较高的功函数且由金属复合氧化物构成的溅射膜。

这里，在制造成为下部电极的溅射膜时，高功函数的膜，在玻璃或塑料等成膜用基板上或者在成膜于该基板之上的金属膜上，使用由氧化物烧结体形成的溅射靶部件通过溅射法从而成膜。因此，为了得到具有高的功函数的溅射膜，业界着眼于作为原料的溅射靶部件。

例如，专利文献1中公开了一种透明导电膜制造用烧结体靶，其主要由Ga、In以及O构成，与全部金属原子相比含有49.1原子％以上且65原子％以下的Ga，主要由β－Ga₂O₃型结构的GaInO₃相和铁锰矿型结构的In₂O₃相构成，用In₂O₃相(400)/β－GaInO₃相(111) ×100(％)定义的X射线衍射峰强度比为45％以下，密度为5.8g/cm³以上。并且公开了，使用这样的烧结体靶通过溅射法得到的透明导电膜，表示出5.1eV以上的功函数，在波长 633nm下示出了1.65以上且1.85以下的折射率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007－224386号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

近年，有机EL的开发不断发展，各个电子设备的制造从业者提出了各种各样的结构。基于该情况，由于在电子设备中使得光学特性最优化很重要，因此期望提出一种溅射靶部件，该溅射靶部件能够提供具有与各种电子设备的结构相对应的折射率的溅射膜。因此，可认为，为了得到折射率与专利文献1所公开的不同的溅射膜，现有技术的溅射靶部件仍有改善的余地。

因此，本发明的实施方式的目的在于，提供一种适于得到具有高的功函数，并且折射率在波长633nm下为1.9～2.1的溅射膜的溅射靶部件。

解决技术问题的方法

即，在本发明的一方面，是一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，其中，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga， In)₂O₃相的面积比率为90％以上。

在本发明的溅射靶部件的一实施方式中，所述Ga/In的原子比为0.95以上且为1.05以下。

在本发明的溅射靶部件的一实施方式中，所述面积比率为95％以上。

在本发明的溅射靶部件的一实施方式中，该溅射靶部件的相对密度为94％以上。

在本发明的溅射靶部件的一实施方式中，该溅射靶部件的体积电阻率为1.0×10³Ω·cm 以下。