[发明专利]光学邻近修正方法

说明书

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形；当所述第一修正图形的修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一模拟光刻图形的第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。以所述光学邻近修正方法得到的修正图形形成的光刻图形效果好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，采用现有的光学邻近模型对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的光刻图形与目标图形间的尺寸误差较大。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法，提高曝光得到的光刻图形的准确性，减小光刻图形与目标图形之间的误差。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：提供目标光刻图形，所述目标光刻图形包括相邻的第一子目标光刻图形和第二子目标光刻图形；对所述目标光刻图形进行第一光学邻近修正，得到与所述目标光刻图形对应的第一修正图形，以及与所述第一修正图形对应的第一模拟光刻图形，所述第一修正图形包括与所述第一子目标光刻图形对应的第一子修正图形及与所述第二子目标光刻图形对应的第二子修正图形，所述第一子修正图形和所述第二子修正图形间具有修正最小间距，所述第一模拟光刻图形包括与所述第一子修正图形对应的第一子模拟光刻图形以及与所述第二子修正图形对应的第二子模拟光刻图形，所述第一子模拟光刻图形具有第一边缘放置误差，所述第二子模拟光刻图形具有第二边缘放置误差；当所述修正最小间距等于最小预设距离，且所述第一边缘放置误差和第二边缘放置误差中的一者或两者大于或等于预设边缘放置误差时，对所述第一修正图形进行第二修正。

可选的，还包括：所述第一子修正图形具有第一端点，所述第二子修正图形具有第二端点，所述第一端点与所述第二端点相邻，且所述第一端点与所述第二端点间的间距为所述修正最小间距。