[发明专利]曝光晶圆的微影系统与方法有效

申请号：	201910746867.4	申请日：	2019-08-14
公开（公告）号：	CN110824857B	公开（公告）日：	2022-03-04
发明（设计）人：	廖啟宏;吴旻政	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F7/20	分类号：	G03F7/20
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	曝光系统方法
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【说明书】：

提供了一种曝光晶圆的微影系统与方法。微影方法包括如下步骤。生成EUV光。使用收集器将EUV光聚集到第一光学反射器上。第一光学反射器用于将EUV光反射到光罩，从而赋予EUV光一图案。第二光学反射器用于将具有该图案的EUV光反射到晶圆上。旋转第一光学反射器。

技术领域

本揭示是关于一种微影系统与方法。

背景技术

已经通过增加在半导体元件中形成的IC的密度来驱动集成电路(IC)的制造。此是通过实施更积极的设计规则以允许形成更大密度的IC元件而实现的。尽管如此，诸如晶体管之类的IC元件的密度增加亦增加了处理具有减小的特征大小的半导体元件的复杂性。

发明内容

本揭示的各种实施例，提供了一种方法，包括如下步骤。产生EUV光。使用收集器将EUV光聚集到第一光学反射器上。第一光学反射器用于将EUV光反射到光罩，从而赋予EUV光一图案。第二光学反射器用于将具有该图案的EUV光反射到晶圆上。旋转第一光学反射器。

根据本揭示的各种实施例，提供了一种方法，包括如下步骤。在腔室中产生EUV光。使用收集器将EUV光聚集到第一光学反射器的第一区域上。第一光学反射器的第一区域用于将EUV光反射到光罩以赋予EUV光一图案。第二光学反射器用于将具有该图案的EUV光反射到腔室内的晶圆上。第一光学反射器转动，使得EUV光被第一光学反射器的第二区域反射，其中当EUV光被第一光学反射器的第二区域反射时，第一光学反射器的第一区域不会被EUV光照射。

根据本揭示的各种实施例，微影系统包括收集器、激光产生器、液滴产生器，以及可旋转的光学反射器。收集器具有镜面和光轴。激光产生器指向光轴上的一位置并且在镜面的前方。液滴产生器指向位置。可旋转的光学反射器与收集器的光轴重叠。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1图示了根据本揭示的一些实施例的微影系统；

图2图示了图1的光学反射器的侧视图；

图3图示了图1的光学反射器的正视图；

图4是根据本揭示的一些实施例的方法的流程图；

图5至图9图示了根据本揭示的一些实施例的图1的微影系统，使用微影系统在各个阶段实施图4的方法；

图10是根据本揭示的一些实施例的方法的流程图；

图11至图13图示了根据本揭示的一些实施例的图1的微影系统，使用微影系统在各个阶段实施图10的方法；

图14是根据本揭示的一些实施例的方法的流程图；

图15至图17图示了根据本揭示的一些实施例的图1的微影系统，使用微影系统在各个阶段实施图14的方法。