[发明专利]一种MIM电容及制作方法有效
| 申请号： | 201910747380.8 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110634731B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴恋伟;魏育才;林伟铭;林锦伟;邓丹丹;赵玉会;翁佩雪 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;郭鹏飞 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 制作方法 | ||
1.一种制作MIM电容的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻，所述介质层覆盖在第一层金属电极上；
将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，所述半遮光膜对应介质接触槽处，所述全遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；
对光阻显影得到完全显影区和不完全显影区，完全显影区对应金属接触槽处，不完全显影区对应介质接触槽处；
以光阻和介质层为掩膜蚀刻完全显影区和不完全显影区分别得到金属接触槽和介质接触槽；
金属接触槽的底面为第一层金属电极，介质接触槽的底面为介质层，所述第一层金属电极延伸到介质接触槽底面的介质层下方；
涂布光阻，在光阻上的金属接触槽处和介质接触槽处进行显影；
蒸镀金属，在金属接触槽处形成第一层金属电极连接金属，在介质接触槽处形成第二层电极，所述第一层金属电极连接金属与第二层电极之间具有间隔。
2.如权利要求1所述的一种制作MIM电容的方法，其特征在于，所述的具有介质层与第一层金属电极的晶圆通过以下步骤制得：
在晶圆上涂布光阻；
显影光阻并制作第一层金属电极；
去除光阻并沉积介质层。
3.如权利要求1所述的一种制作MIM电容的方法，其特征在于，所述的光罩上的全遮光区域、半遮光区域为铬膜。
4.一种MIM电容，其特征在于：所述MIM电容结构由权利要求1到3任意一项所述的制作MIM电容的方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司，未经福建省福联集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910747380.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种沟槽肖特基多晶硅沉积后栅氧中断返工方法
- 下一篇：光刻工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
