[发明专利]一种MIM电容及制作方法

说明书

本发明公开一种MIM电容及制作方法，其中方法包括如下步骤：在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻，将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，半遮光膜对应介质接触槽处，所遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；以光阻和介质层为掩膜蚀刻分别得到金属接触槽和介质接触槽。本方案省去传统工艺中的多道工艺，简化制作MIM电容的工艺流程，缩短了生产周期，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及电容制作技术领域，尤其涉及一种MIM电容及制作方法。

背景技术

在半导体器件领域，电容器是常用的无源器件之一，其通常整合于双极晶体管或互补式金属氧化物半导体晶体管等有源器件中。传统制作MIM电容器的工艺涉及到许多工艺步骤，沉积、曝光、显影、蚀刻。这些工艺步骤的重复性高，但间隔短，往往一两个步骤便要进行上一步类似的工艺操作，导致整个电容制作周期长。所以业界都在寻求一种更为简便的制作MIM电容的方法。

发明内容

为此，需要提供操作更为简单的一种制作MIM电容的方法，解决MIM电容制作过程周期长、操作复杂的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种制作MIM电容的方法，所述一种制作MIM电容的方法包括以下步骤：

在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻，所述介质层覆盖在第一层金属电极上；

将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，所述半遮光膜对应介质接触槽处，所述全遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；

对光阻显影得到完全显影区和不完全显影区，完全显影区对应金属接触槽处，不完全显影区对应介质接触槽处；

以光阻和介质层为掩膜蚀刻完全显影区和不完全显影区分别得到金属接触槽和介质接触槽。

进一步地，所述的具有介质层与第一层金属电极的晶圆通过以下步骤制得：

在晶圆上涂布光阻；

显影光阻并制作第一层金属电极；

去除光阻并沉积介质层。

进一步地，还包括以下步骤：

涂布光阻，在光阻上的金属接触槽处和介质接触槽处进行显影；

蒸镀金属，在金属接触槽处形成第一层金属电极连接金属，在介质接触槽处形成第二层电极。

进一步地，所述的光罩上的全遮光区域、半遮光区域为铬膜。

本发明提供一种MIM电容结构，所述MIM电容结构由本发明实施例任意一项所述的制作MIM电容的方法制得。

区别于现有技术，上述技术方案在实施过程中，在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻后，使用具有不同透光程度的光罩进行曝光显影，随后能够同时蚀刻介质层与光阻，省去传统工艺中的多道工艺。简化制作MIM电容的工艺流程，缩短了生产周期，提高生产效率。

附图说明

图1为具体实施方式所述制作第一层金属电极的结构图；

图2为具体实施方式所述沉积介质层的结构图；

图3为具体实施方式所述蚀刻光阻和介质层的结构图；

图4为具体实施方式所述金属接触槽和介质接触槽的结构图；

图4A为传统工艺所述制作金属接触槽和介质接触槽的流程图；

图5为具体实施方式所述制作第二层电极的结构图；

图6为具体实施方式所述制作第三层电极的结构图。

附图标记说明：