[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

第一III-V族化合物层；

第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；

浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽，设置于该第二III-V族化合物层中，其中该第一深凹槽和该第二深凹槽分别位于该浅凹槽的两侧；

源极电极，填入该第一深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的一上表面；

漏极电极，填入该第二深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的该上表面，其中该源极电极和该漏极电极的形状相异；以及

栅极电极，设置于该浅凹槽的正上方。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中在该浅凹槽和该第一深凹槽之间的该第二III-V族化合物层具有第一上表面，在该浅凹槽和该第二深凹槽之间的该第二III-V族化合物层具有第二上表面。

3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其该源极电极接触该第一上表面，该漏极电极不接触该第二上表面。

4.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极电极包含：

源极主体，其中该源极主体填入该第一深凹槽、接触该第一III-V族化合物层的该上表面、并且不接触该第二III-V族化合物层的该第一上表面；以及

源极延伸层，覆盖并接触该源极主体以及该第二III-V族化合物层的该第一上表面。

5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极主体和该源极延伸层的材料不同。

6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该源极延伸层包含氮化钛、金、铂、钛、氧化铟锡或掺铝氧化锌，该源极主体包含钛、铝、镍、铂或金。

7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含保护层，覆盖并接触该第二III-V族化合物层和部分的该源极电极并且填入该浅凹槽。

8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中该保护层包含氮化硅或氮化铝。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一III-V族化合物层为氮化镓，该第二III-V族化合物层包含氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓或氮化铝。

10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该浅凹槽不贯穿该第二III-V族化合物层，该第一深凹槽和该第二深凹槽都贯穿该第二III-V族化合物层。

11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一深凹槽和该浅凹槽之间的距离小于该第二深凹槽和该浅凹槽之间的距离。

12.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包含：

提供第一III-V族化合物层；

形成第二III-V族化合物层于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；

形成浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽于该第二III-V族化合物层内，该第一深凹槽和该第二深凹槽分别位于该浅凹槽的两侧；

形成源极主体和漏极电极，其中该源极主体位于该第一深凹槽中，该漏极电极位于该第二深凹槽中；

形成导电层，覆盖该源极主体、该浅凹槽、该第二III-V族化合物层和该漏极电极；

移除覆盖该浅凹槽、该漏极电极以及该浅凹槽和该漏极电极之间的该第二III-V族化合物层的该导电层，保留覆盖该源极主体以及该浅凹槽和该源极主体之间的该导电层以作为源极延伸层，其中该源极主体和该源极延伸层组成源极电极；以及

形成栅极电极位于该浅凹槽的正上方。