[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，该电子装置包括：

面板；

驱动电路，该驱动电路被配置为驱动所述面板；

第一晶体管和第二晶体管，该第一晶体管和该第二晶体管被设置在所述面板中；以及

第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在基板上，与所述第一晶体管的第一电极的边缘交叠并且具有用于接纳所述第二晶体管的部分的敞口区域，

其中，所述第一晶体管包括：

所述第一电极，所述第一电极被设置在所述基板上；

第二电极，该第二电极被设置在所述第一绝缘膜上并且与所述第一电极的一部分交叠；以及

第一有源层，该第一有源层被设置在所述第一电极、所述第一绝缘膜和所述第二电极上，并且

其中，所述第二晶体管包括：

第三电极和第四电极，该第三电极和该第四电极被设置在与所述第二电极相同的层上并且与所述第二电极间隔开，所述第一绝缘膜的所述敞口区域被设置在所述第三电极和所述第四电极之间；以及

第二有源层，该第二有源层被设置在所述第三电极和所述第四电极上并且横跨所述第一绝缘膜的所述敞口区域。

2.根据权利要求1所述的电子装置，该电子装置还包括：

第二绝缘膜，该第二绝缘膜被设置在所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三电极上；以及

所述第一晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极，所述第一栅极被设置在所述第二绝缘膜上并且与所述第一有源层交叠，并且所述第二栅极被设置在所述第二绝缘膜上并且与所述第二有源层交叠。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一有源层包括沿着所述第一绝缘膜的侧表面设置的第一沟道区域，并且

其中，所述第一沟道区域与所述基板不平行。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在所述面板内，多条数据线与多条选通线交叉，并且

其中，所述第一晶体管的所述第一有源层与所述多条数据线当中的一条数据线和所述多条选通线当中的一条选通线交叠。

5.根据权利要求2所述的电子装置，该电子装置还包括：

电容器的第一板，该第一板与所述第三电极成为一体；

所述电容器的第二板，该第二板被设置在所述第一板上；

第三绝缘膜，该第三绝缘膜被设置在所述第二板上；以及

所述电容器的第三板，该第三板被设置在所述第三绝缘膜上。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述第一板和所述第三板经由延伸贯穿所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜的第一孔彼此电连接。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述第二板与所述第二晶体管的所述第二栅极成为一体。

8.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述第二绝缘膜比所述第一绝缘膜密度高，并且

其中，所述第二绝缘膜具有比所述第一绝缘膜小的厚度变化，或者所述第二绝缘膜具有比所述第一绝缘膜均匀的厚度。

9.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极中的一个电连接到所述第二晶体管的所述第二栅极和存储电容器二者。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

第一晶体管的第一电极，该第一电极被设置在所述基板上；

第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述基板上，与所述第一电极的边缘交叠并且具有用于接纳第二晶体管的部分的敞口区域；

所述第一晶体管的第二电极，该第二电极被设置在所述第一绝缘膜上并且与所述第一电极的一部分交叠；

所述第二晶体管的第三电极和第四电极，该第三电极和该第四电极被设置在与所述第二电极相同的层上并且与所述第二电极间隔开，所述第一绝缘膜的所述敞口区域被设置在所述第三电极和所述第四电极之间；

所述第一晶体管的第一有源层，该第一有源层被设置在所述第一电极、所述第一绝缘膜和所述第二电极上；以及

所述第二晶体管的第二有源层，该第二有源层被设置在所述第三电极和所述第四电极上并且横跨所述第一绝缘膜的所述敞口区域。