[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置在审
申请号: | 201910748403.7 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN111293140A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 赵寅晫;尹弼相;全济勇;卢智龙;朴世熙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;G09G3/3291 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 包括 电子 装置 | ||
薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置。一种电子装置可包括:面板;驱动电路,其被配置为驱动面板;第一晶体管和第二晶体管,其设置在面板中;以及第一绝缘膜,其设置在基板上,与第一电极的边缘交叠并具有用于接纳第二晶体管的部分的敞口区域,其中,第一晶体管包括:第一电极,其设置在基板上;第二电极,其设置在第一绝缘膜上并与第一电极的一部分交叠;以及第一有源层,其设置在第一电极、第一绝缘膜和第二电极上,第二晶体管包括:第三电极和第四电极,其设置在与第二电极相同的层上并与第二电极间隔开,第一绝缘膜的敞口区域设置在第三电极和第四电极之间;以及第二有源层,其设置在第三电极和第四电极上并横跨第一绝缘膜的敞口区域。
技术领域
示例实施方式涉及薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置。
背景技术
响应于信息社会的发展,对诸如显示装置和照明装置这样的一系列电子装置的各种需求日益增加。这种电子装置可以包括设置有数据线和选通线的面板、驱动数据线的数据驱动器以及驱动选通线的选通驱动器。
作为电子装置的关键部件的面板可以包括具有驱动面板的各种功能的大量晶体管。
因此,面板制造处理可能不可避免地变复杂和困难。然而,如果追求处理的方便,则晶体管的性能会下降,这是有问题的。
另外,晶体管应该具有高集成度,以在电子装置中实现诸如高分辨率这样的优异特性。然而,由于与处理、设计等关联的问题,晶体管的尺寸不能无限地减小。因此,期望提供电子装置能够具有高分辨率的晶体管结构。
发明内容
本公开的各个方面提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置,在该薄膜晶体管阵列基板中,设置在面板中的多个晶体管当中的至少一个晶体管具有能够实现短沟道和集成的结构。
还提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置,在该薄膜晶体管阵列基板中,设置在面板中的多个晶体管当中的至少一个晶体管具有操作余量由于高S因子而增加的结构。
还提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置,其中,该薄膜晶体管阵列基板包括具有由于减小的器件面积而能够实现超高分辨率面板的结构的晶体管。
还提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置,其中,该薄膜晶体管阵列基板包括具有防止有源层和绝缘膜断裂(例如,电气电路中的不连续)的结构的晶体管。
还提供了一种薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置,其中,该薄膜晶体管阵列基板包括容量增大的存储电容器。
根据本公开的一方面,一种电子装置可以包括面板和驱动所述面板的驱动电路。
在根据示例实施方式的包括面板的电子装置和驱动面板的驱动电路中,设置在面板中的第一晶体管和第二晶体管可以包括:第一晶体管的第一电极,该第一电极被设置在基板上;第一绝缘膜,该第一绝缘膜被设置在基板上,与第一电极的一端交叠,并且具有至少一个敞口区域;第一晶体管的第二电极,该第二电极被设置在第一绝缘膜上,以与第一电极的一部分交叠;第二晶体管的第三电极和第四电极,该第三电极和第四电极被设置在与第二电极相同的层上,以与第二电极间隔开,第一绝缘膜的敞口区域被设置在第三电极和第四电极之间;第一晶体管的第一有源层,该第一有源层被设置在第一电极、第一绝缘膜和第二电极上;第二晶体管的第二有源层,该第二有源层沿着第一绝缘膜的敞口区域设置在第三电极和第四电极上;第二绝缘膜,该第二绝缘膜被设置在第一有源层、第二有源层、第三电极和第四电极上;以及第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极,该第一栅极被设置在第二绝缘膜上并且与第一有源层交叠,并且该第二栅极被设置在第二绝缘膜上并且与第二有源层交叠。
在所述面板内,多条数据线可以与多条选通线交叉,并且所述第一晶体管的所述第一有源层可以与所述多条数据线当中的一条数据线和所述多条选通线中的一条选通线交叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910748403.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的