[发明专利]一种高速超导纳米线单光子探测器结构有效
| 申请号： | 201910751749.2 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110487402B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵清源;康琳;陶旭 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李湘群 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 导纳 米线 光子 探测器 结构 | ||
1.一种高速超导纳米线单光子探测器结构，其特征在于：包括雪崩纳米线探测器、并联电阻Rh，所述雪崩纳米线探测器采用串联型雪崩纳米线结构，即由两根或多根纳米线并联成一组，每四组或多组串联在一起构成蜿蜒结构的雪崩纳米线单元，雪崩纳米线单元在首端和末端并联电阻Rh，形成一个探测单元，若干个探测单元串联，形成一个探测器阵列，整个探测器阵列的射频输出为一个端口，所述并联电阻Rh采用一根金属微线条在纳米线近端制备而成。
2.根据权利要求1所述的一种高速超导纳米线单光子探测器结构，其特征在于：还包括低温读出电路，雪崩纳米线探测器的直流偏置由外部低噪声电流源经过偏置电感Ls提供，整个阵列结构的射频输出端口串联电阻Rs、耦合电容Cp和低温射频放大器。
3.根据权利要求2所述的一种高速超导纳米线单光子探测器结构，其特征在于：所述耦合电容Cp包含在低温射频放大器中。
4.根据权利要求1所述的一种高速超导纳米线单光子探测器结构，其特征在于：纳米线先经过一次电子束曝光工艺，形成纳米线单光子响应区域和电极部分；通过第二次电子束曝光工艺和Liftoff工艺，在纳米线的附近沉积金属微线条，通过改变金属微线条的宽度和厚度，调整Rh的电阻值。
5.根据权利要求2所述的一种高速超导纳米线单光子探测器结构，其特征在于：整个探测器阵列的偏置电流的恢复时间常数为N×Lk/(Rs+RL)，其中N为串联探测单元的数目，Lk为每个探测单元的总动态电感，RL为放大器的输入阻抗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910751749.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
