[发明专利]一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺

权利要求书

1.一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：

步骤一，将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台；

步骤二，将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束；

步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，装载硅片，运行镀膜工艺。

2.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中抽真空步设定的底压为0.01托。

3.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中恒温步温度控制在480-520℃。

4.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中恒压步工艺压力控制在1.4-1.6托。

5.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中淀积一步射频时间为3-5min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。

6.根据权利要求1所述的一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，其特征在于：所述洗舟工艺步骤中淀积二步射频时间为4-6min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。