[发明专利]一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺

说明书

本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台，对石墨舟进行洗舟工艺加载，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常工艺流程装载硅片，运行镀膜工艺，本发明利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。

技术领域

本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺。

背景技术

在太阳能电池生产中有一个工序叫做PECVD工序，PECVD工序的作用是在硅太阳能电池上沉积一层氮化硅薄膜，减少太阳光的反射率，来提高电池的转换效率。

管式PECVD对电池进行镀膜时以石墨舟作为载体，由于石墨舟为石墨材质，是由碳原子组成，石墨是元素碳的一种同素异形体，每个碳原子的周边连着另外三个碳原子，（排列方式呈蜂巢式的多个六边形），以共价键结合，形成共价分子。碳的空隙结构使石墨材料具备良好的吸附性，容易吸附水分、杂质等，而生产现场因机台故障、维修保养、石墨舟下线维修等会存在石墨舟长时间放置的现象，造成石墨舟吸附水分等杂质，导致直接上线使用时装载的硅片受到污染，下传丝网印刷后EL呈石墨舟印状发黑。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：

步骤一，将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台；

步骤二，将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束；

步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，装载硅片，运行镀膜工艺。

进一步的，所述洗舟工艺步骤中抽真空步设定的底压为0.01托。

进一步的，所述洗舟工艺步骤中恒温步温度控制在480-520℃。

进一步的，所述洗舟工艺步骤中恒压步工艺压力控制在1.4-1.6托。

进一步的，所述洗舟工艺步骤中淀积一步射频时间为3-5min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。

进一步的，所述洗舟工艺步骤中淀积二步射频时间为4-6min，射频功率为9000-10000W，占空比为0.098-0.12，压力为1.4-1.6托 ，NH3气体流量控制在4.0-5.0L/min，SiH4气体流量为0。

本发明的有益效果在于：本发明中一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，无需设备投入，仅需在原有管式PECVD机台上对于长时间放置的石墨舟，通过特定洗舟工艺处理，利用电离后氨气的清洗作用，减少石墨舟上的水分等杂质，以此再装载硅片后运行镀膜工艺，不会造成硅片的污染，进而下传丝网印刷不会出现EL石墨舟印等不良情况。

具体实施方式

实施例1

一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：