[发明专利]感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板

权利要求书

1.一种感光装置，形成在衬底上，其中，所述感光装置包括：

光敏元件，所述光敏元件包括：

位于所述衬底上的第一电极层；

位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和

夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：

位于所述衬底上的第一栅极；

位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和

位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，

其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层；

其中，所述感光装置还包括覆盖层，其中，所述覆盖层覆盖所述光敏元件和所述薄膜晶体管两者，所述覆盖层包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述第二电极层的一部分，所述第三过孔暴露所述第二栅极的一部分；所述感光装置包括第一电极引线和第二电极引线，所述第一电极引线和所述第二电极引线位于同一层，所述第一电极引线的一部分填充于所述第二过孔，以与所述第二电极层电连接；所述第二电极引线的一部分填充于所述第三过孔，以与所述第二栅极电连接；

所述第一电极引线和所述第二电极引线间隔设置；以及

所述第二电极引线用于将与所述第一栅极相同的驱动信号传输给所述第二栅极。

2.根据权利要求1所述的感光装置，还包括层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括第一过孔和第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔，所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部。

3.根据权利要求2所述的感光装置，其中，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区位于所述源极区与所述漏极区之间，所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极区或所述漏极区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

4.根据权利要求3所述的感光装置，其中，所述第一凹陷部在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影至少部分重合。

5.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述第一部分的厚度在100~200nm范围内。

6.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述沟道区在所述衬底上的正投影落入所述第一栅极和所述第二栅极中的任一个在所述衬底上的正投影内。

7.根据权利要求3或4所述的感光装置，其中，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极区在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重合，所述漏极区在所述衬底上的正投影与所述漏极在所述衬底上的正投影部分重合；

并且其中，所述第一电极层接触所述源极或所述漏极，所述第一电极层在所述衬底上的正投影落入所述源极或所述漏极在所述衬底上的正投影内。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的感光装置，其中，所述有源层包括氧化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的感光装置，其中，所述光电转换层包括：

位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第一半导体层；

位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的本征半导体层；和

位于所述本征半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，

其中，所述第一半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的一个，所述本征半导体层为本征非晶硅层，所述第二半导体层为P型非晶硅层和N型非晶硅层中选择的另一个。

10.根据权利要求7所述的感光装置，其中，所述第一栅极、所述第二栅极、所述源极、所述漏极和所述第一电极层均包括金属导电材料，所述第二电极层包括透明导电材料。