[发明专利]感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板

说明书

提供一种感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板。所述感光装置形成在衬底上，并且包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。

技术领域

本公开涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种感光装置、包括该感光装置的探测基板、包括该感光装置的阵列基板以及其制造方法。

背景技术

近年来，光学指纹识别技术和X射线探测技术得到广泛地应用。感光装置是光学指纹识别技术和X射线探测技术中的主要部件，感光装置一般包括光敏元件和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，缩写为TFT)等，通过光敏元件可将可见光转换为电信号，薄膜晶体管可接收电信号并将电信号输出，以实现检测光的目的。因此，如何设计光敏元件和薄膜晶体管的结构以及优化它们的制造工艺，以改善感光装置的性能，逐渐成为研发人员关注的重要课题。

发明内容

为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种感光装置及其制造方法、包括该感光装置的探测基板和包括该感光装置的阵列基板。

在一个方面，提供一种感光装置，形成在衬底上，其中，所述感光装置包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。

例如，所述感光装置还包括层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括第一过孔和第一凹陷部，所述第一电极层的至少一部分填充于所述第一过孔，所述第二栅极的至少一部分填充于所述第一凹陷部。

例如，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区，所述沟道区位于所述源极区与所述漏极区之间，所述层间绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极区或所述漏极区在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

例如，所述第一凹陷部在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影至少部分重合。

例如，所述第一部分的厚度在100～200nm范围内。

例如，所述沟道区在所述衬底上的正投影落入所述第一栅极和所述第二栅极中的任一个在所述衬底上的正投影内。

例如，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极区在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影部分重合，所述漏极区在所述衬底上的正投影与所述漏极在所述衬底上的正投影部分重合；并且，所述第一电极层接触所述源极或所述漏极，所述第一电极层在所述衬底上的正投影落入所述源极或所述漏极在所述衬底上的正投影内。

例如，所述感光装置还包括覆盖层，其中，所述覆盖层覆盖所述光敏元件和所述薄膜晶体管两者，所述覆盖层包括第二过孔和第三过孔，所述第二过孔暴露所述第二电极层的一部分，所述第三过孔暴露所述第二栅极的一部分；并且，所述感光装置包括第一电极引线和第二电极引线，所述第一电极引线和所述第二电极引线位于同一层，所述第一电极引线的一部分填充于所述第二过孔，以与所述第二电极层电连接；所述第二电极引线的一部分填充于所述第三过孔，以与所述第二栅极电连接。

例如，所述有源层包括氧化物半导体层。

例如，所述光电转换层包括：