[发明专利]吸嘴装置在审
| 申请号： | 201910752868.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110391169A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 何玉平;刘建强;肖康;杨祖洪;曾永强 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中空吸杆 吸孔 吸嘴本体 吸嘴装置 通孔 薄膜 支撑结构 形变 贯穿 复数 空吸 连通 承载 | ||
1.一种吸嘴装置，其特征在于，包含：
一吸嘴本体，具有一贯穿自身的吸孔；以及
一中空吸杆，具有复数个贯穿自身的通孔，该中空吸杆设于该吸孔中，以连通该些通孔与该吸孔，该中空吸杆的底部位于该吸孔的底部的正上方。
2.如权利要求1所述的吸嘴装置，其中该中空吸杆的该底部相距该吸孔的该底部的最短距离为1.0～1.5毫米，且每一该通孔的截面直径为0.8毫米。
3.如权利要求2所述的吸嘴装置，其中该些通孔呈纵向且间隔排列。
4.如权利要求2所述的吸嘴装置，其中该些通孔在同一平面上排列成一同心圆阵列。
5.如权利要求1所述的吸嘴装置，其中该吸孔呈喇叭状，且该吸孔的周长由上而下渐增。
6.如权利要求5所述的吸嘴装置，其中该吸嘴本体往上延伸以形成一中空套筒，该中空套筒的中央套孔连通该吸孔与该些通孔。
7.如权利要求6所述的吸嘴装置，其中该中空吸杆往上延伸以依序形成一第一中空柱体与一第二中空柱体，该第一中空柱体位于该中空吸杆与该第二中空柱体的间，且该第一中空柱体的外周长小于该第二中空柱体的外周长，该第一中空柱体位于该中央套孔中，该第二中空柱体设于该中空套筒的顶部，该第一中空柱体的第一中央穿孔连通该第二中空柱体的第二中央穿孔与该些通孔。
8.如权利要求5所述的吸嘴装置，其中该吸孔的最短该周长等于该中空吸杆的外周长。
9.如权利要求1所述的吸嘴装置，其中该中空吸杆与该吸嘴本体为一体成型者。
10.如权利要求1所述的吸嘴装置，其中该中空吸杆透过黏着剂固定于该吸嘴本体上，并位于该吸孔中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司，未经业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910752868.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基片载置装置和基片载置方法
- 下一篇：一种晶圆夹持机械手臂及其清洗晶圆的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
