[发明专利]吸嘴装置在审
申请号: | 201910752868.X | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN110391169A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 何玉平;刘建强;肖康;杨祖洪;曾永强 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中空吸杆 吸孔 吸嘴本体 吸嘴装置 通孔 薄膜 支撑结构 形变 贯穿 复数 空吸 连通 承载 | ||
本发明系揭露一种吸嘴装置,其系包含一吸嘴本体与一中空吸杆。吸嘴本体具有一贯穿自身的吸孔,中空吸杆具有复数个贯穿自身的通孔,中空吸杆设于吸孔中,以连通所有通孔与吸孔,中空吸杆的底部位于吸孔的底部的正上方。本发明利用中空吸杆作为支撑结构,当吸嘴本体吸取薄膜时,起到承载作用,防止薄膜进一步形变。
技术领域
本发明系关于一种吸取装置,且特别关于一种吸嘴装置。
背景技术
随着科技进步,现今的半导体产业的产品也随着科技的进步而日渐精密,更逐渐缩小了产品的体积,因此在进行半导体元件的自动化生产制程时,会藉由一真空吸嘴提供薄膜的吸取及放置功能,使真空吸嘴在机械手臂的带动下,并搭配真空抽气装置,用以将所述薄膜自预备区移动至预定的加工区域。然而,在吸取过程中,由于吸附区域的内外压差,容易造成过度形变与折伤,后续加工中伴随气泡等不良产生,如图1所示,以光学胶10为例,利用吸嘴12置于光学胶10上,并配合真空吸引的方式,对光学胶10进行吸取动作。然而,因为吸附区域没有任何支撑,导致吸嘴12的内外压差使光学胶10发生过度形变,因此在靠近吸嘴12的底部边缘处的光学胶10,及最靠近吸嘴10的内部的光学胶10,会形成折伤。
因此,本发明系在针对上述的困扰,提出一种吸嘴装置,以解决习知所产生的问题。
发明内容
本发明的主要目的,在于提供一种吸嘴装置,其系利用中空吸杆作为支撑结构,当吸嘴本体吸取薄膜时,起到承载作用,防止薄膜进一步形变。
为达上述目的,本发明提供一种吸嘴装置,包含一吸嘴本体与一中空吸杆。吸嘴本体具有一贯穿自身的吸孔,中空吸杆具有复数个贯穿自身的通孔,中空吸杆设于吸孔中,以连通所有通孔与吸孔,中空吸杆的底部位于吸孔的底部的正上方。
在本发明的一实施例中,中空吸杆的底部相距吸孔的底部的最短距离为1.0~1.5毫米(mm),且每一通孔的截面直径为0.8毫米。
在本发明的一实施例中,所有通孔呈纵向且间隔排列。
在本发明的一实施例中,所有通孔在同一平面上排列成一同心圆阵列。
在本发明的一实施例中,吸孔呈喇叭状,且吸孔的周长由上而下渐增。
在本发明的一实施例中,吸嘴本体往上延伸以形成一中空套筒,中空套筒的中央套孔连通吸孔与所有通孔。
在本发明的一实施例中,中空吸杆往上延伸以依序形成一第一中空柱体与一第二中空柱体,第一中空柱体位于中空吸杆与第二中空柱体的间,且第一中空柱体的外周长小于第二中空柱体的外周长,第一中空柱体位于中央套孔中,第二中空柱体设于中空套筒的顶部,第一中空柱体的第一中央穿孔连通第二中空柱体的第二中央穿孔与所有通孔。
在本发明的一实施例中,吸孔的最短周长等于中空吸杆的外周长。
在本发明的一实施例中,中空吸杆与吸嘴本体为一体成型者。
在本发明的一实施例中,中空吸杆透过黏着剂固定于吸嘴本体上,并位于吸孔中。
兹为使,贵审查委员对本发明的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识,谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明,说明如后。
附图说明
图1为先前技术的吸嘴与光学胶的结构示意图。
图2为本发明的吸嘴装置的第一实施例的结构示意图。
图3为本发明的沿图2的A-A’线的结构剖视图。
图4为本发明的吸嘴装置的第一实施例的运作的结构示意图。
图5为本发明的吸嘴装置的第二实施例的结构示意图。
图6为本发明的沿图5的B-B’线的结构剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造