[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电子设备的制造方法，其特征在于，

提供叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；

形成所述电极层之前，所述驱动器件层内具有第一通孔；形成所述电极层以及所述通孔的步骤包括：在所述驱动器件层上形成第一电极层，且所述第一电极层暴露出所述第一通孔；在形成所述第一通孔之后，形成第三通孔；在形成所述第三通孔后，在所述第一电极层上形成第二电极层，所述第二电极层暴露出所述第三通孔，所述第二电极层与所述第一电极层构成所述电极层，且所述电极层内具有贯穿所述电极层的第二通孔；

形成覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面的封装层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述发光功能层包括发光单元以及位于发光单元上的导电层；形成所述叠层结构以及所述通孔的方法包括：先形成所述通孔，后在所述电极层上形成所述发光功能层；或者，先形成所述发光功能层，后形成所述通孔；或者，先形成所述发光功能层中的所述发光单元，后形成所述通孔，在形成所述通孔之后，形成所述发光功能层中的所述导电层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第三通孔的工艺步骤包括：在所述第一电极层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层以及所述第一电极层为掩膜，刻蚀所述基底形成所述第三通孔；去除所述光刻胶层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述基底，且所述干法刻蚀工艺对所述第一电极层与所述基底的刻蚀选择比大于或等于10。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括O₂和氟基气体，O₂气体流量为10sccm～10000sccm，氟基气体流量为10sccm～2000sccm，压强为10mtorr～200mtorr，温度为0℃～80℃，偏置电压为0.5KV～30KV。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述叠层结构以及所述通孔的工艺步骤包括：提供基底以及位于所述基底上的驱动器件层，且所述驱动器件层内具有第一通孔；在所述驱动器件层上形成电极层，且所述电极层内具有与所述第一通孔相连通的第二通孔；对所述第一通孔底部进行刻蚀，在所述基底内形成第三通孔。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述电极层以及所述第二通孔之后，对所述第一通孔底部进行刻蚀，形成所述第三通孔。

8.如权利要求1或7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述驱动器件层的工艺步骤中，形成贯穿所述驱动器件层的所述第一通孔。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通孔底部位于所述驱动器件层内；或者，所述通孔底部位于所述基底内；或者，所述通孔底部位于所述驱动器件层与所述基底的界面处。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述通孔底部位于所述基底内，在形成所述封装层之后，还包括步骤：对位于所述通孔底部的所述基底进行切割处理，形成与所述通孔相连通的连通孔。

11.一种采用如权利要求1至10任一项制造方法形成的电子设备，其特征在于，包括：

叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向依次堆叠的基底、驱动器件层、电极层以及发光功能层，所述叠层结构内具有贯穿所述电极层的通孔，且所述发光功能层暴露出所述通孔；

封装层，所述封装层覆盖所述发光功能层顶部表面和侧壁表面。

12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，在所述第一方向上，所述电极层包括：依次堆叠的第一透明电极层、金属电极层、第二透明电极层以及第二电极层。