[发明专利]具有各种线宽的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在衬底上形成多个虚设栅极结构，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述多个虚设栅极结构在第一方向上延伸并布置在所述第一区域和所述第二区域中，所述第一区域和所述第二区域中的所述多个虚设栅极结构在第二方向上具有均一的节距，所述第二方向与所述第一方向不同，所述第一区域和所述第二区域中的所述多个虚设栅极结构在所述第二方向上具有均一的宽度；

形成第一覆盖层，所述第一覆盖层共形地覆盖所述第一区域中的所述衬底和所述多个虚设栅极结构；

形成第二覆盖层，所述第二覆盖层共形地覆盖所述第一区域中的所述第一覆盖层并共形地覆盖所述第二区域中的所述衬底和所述多个虚设栅极结构；

形成间隔物层，所述间隔物层覆盖：a)覆盖所述第一区域中的所述多个虚设栅极结构的相反侧壁的所述第二覆盖层，和b)覆盖所述第二区域中的所述多个虚设栅极结构的相反侧壁的所述第二覆盖层；

通过从所述第一区域和所述第二区域一起去除所述多个虚设栅极结构、所述第一覆盖层的一部分以及所述第二覆盖层的一部分，在所述第一区域中形成多个第一栅极空间并在所述第二区域中形成多个第二栅极空间；以及

形成a)分别填充所述多个第一栅极空间的多条第一栅极线和b)分别填充所述多个第二栅极空间的多条第二栅极线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一覆盖层包括：

在所述第一区域和所述第二区域两者中形成所述第一覆盖层，所述第一覆盖层共形地覆盖所述第一区域和所述第二区域中的所述衬底和所述多个虚设栅极结构；以及

去除形成在所述第二区域中的所述第一覆盖层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二方向上，所述多个第一栅极空间中的每个的第一间隙大于所述多个第二栅极空间中的每个的第二间隙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二方向上，所述多条第一栅极线中的每条的第一宽度大于所述多条第二栅极线中的每条的第二宽度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一宽度和所述第二宽度之差是所述第一覆盖层的厚度的两倍。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底还包括第三区域，

形成所述多个虚设栅极结构包括在所述第三区域中形成所述多个虚设栅极结构，

a.形成所述第一覆盖层包括，

在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成所述第一覆盖层，所述第一覆盖层共形地覆盖所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的所述衬底和所述多个虚设栅极结构，以及

去除形成在所述第二区域和所述第三区域中的所述第一覆盖层，

b.形成所述第二覆盖层包括，

形成共形地覆盖所述第一区域中的所述第一覆盖层并共形地覆盖所述第二区域和所述第三区域中的所述衬底和所述多个虚设栅极结构的所述第二覆盖层，以及

去除形成在所述第三区域中的所述第二覆盖层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述多个第一栅极空间和所述多个第二栅极空间还包括：

去除所述第三区域中的所述多个虚设栅极结构以在所述第三区域中进一步形成多个第三栅极空间；以及

形成分别填充所述多个第三栅极空间的多条第三栅极线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多条第一栅极线、所述多条第二栅极线和所述多条第三栅极线被同时分别形成在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述多条第一栅极线中的每条在所述第二方向上的第一宽度大于所述多条第二栅极线中的每条的第二宽度，并且每条所述第二栅极线的所述第二宽度大于所述多条第三栅极线中的每条的第三宽度。