[发明专利]具有各种线宽的半导体器件及其制造方法

说明书

提供了具有各种线宽的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多条第一栅极线，在第一区域中在第一方向上延伸，并且每条第一栅极线在第二方向上具有第二宽度；多条第二栅极线，在第二区域中在第一方向上延伸，并且每条第二栅极线在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度，该多条第二栅极线在第二方向上具有与多条第一栅极线在第二方向上的节距相同的节距；间隔物层，覆盖所述多条第一栅极线中的每条和所述多条第二栅极线中的每条的相反侧壁；以及第一基层，布置在第一区域中的衬底和间隔物层之间。

技术领域

发明构思涉及一种半导体器件和/或制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及具有各种线宽的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。

背景技术

随着对电子设备的小型化、高性能和多功能性的需求的增加，电子设备中使用的半导体器件也需要具有高集成、高性能和多功能性。因此，越来越希望在半导体器件中实现各种线宽，使得高度集成的半导体器件可以具有各种功能和/或改进的性能。

然而，为了使半导体器件具有各种线宽，使用复杂的工艺来实现不同的线宽，因此，半导体器件的可靠性降低和/或制造成本增加。

发明内容

发明构思提供了具有各种线宽且具有改善的可靠性的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法，该方法能够通过工艺的简化来降低制造成本的增加。

根据至少一些发明构思的一些示例实施方式，提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成多个虚设栅极结构，该衬底包括第一区域和第二区域，所述多个虚设栅极结构在第一方向上延伸并布置在第一区域和第二区域中，第一区域和第二区域中的所述多个虚设栅极结构在不同于第一方向的第二方向上具有均一的节距，第一区域和第二区域中的所述多个虚设栅极结构在第二方向上具有均一的宽度。该方法还包括形成第一覆盖层以及形成第二覆盖层，该第一覆盖层共形地覆盖包括在第一区域中的衬底和包括在第一区域中的多个虚设栅极结构，该第二覆盖层共形地覆盖第一区域中的第一覆盖层并共形地覆盖包括在第二区域中的衬底和包括在第二区域中的多个虚设栅极结构；形成间隔物层，该间隔物层覆盖：a)覆盖包括在第一区域中的多个虚设栅极结构的相反侧壁的第二覆盖层，和b)覆盖包括在第二区域中的多个虚设栅极结构的相反侧壁的第二覆盖层；通过从第一区域和第二区域一起去除多个虚设栅极结构、第一覆盖层的一部分和第二覆盖层的一部分，在第一区域中形成多个第一栅极空间并在第二区域中形成多个第二栅极空间；以及形成a)分别填充所述多个第一栅极空间的多条第一栅极线和b)分别填充所述多个第二栅极空间的多条第二栅极线。