[发明专利]阀装置、处理装置、以及控制方法

说明书

本发明提高一种阀装置、处理装置、以及控制方法，缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。阀装置具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体，使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体，隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部，以便将壳体加热成第1温度。另外，控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热，控制供给部，以便向第2流路供给制冷剂。

技术领域

本公开的各种方面和实施方式涉及一种阀装置、处理装置、以及控制方法。

背景技术

作为对半导体晶圆(以下，记载为晶圆)进行成膜的方法，公知有CVD(化学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)法、ALD(原子层沉积，Atomic Layer Deposition)法等。在CVD法、ALD法中，使用作为要层叠的膜的原料的气体，在原料中具有在常温下处于固体、液体的状态的原料。这样的原料通过加热而气化后向晶圆供给。在该情况下，在气化后的原料的供给路径所包含的配管、阀等中，也为了维持气体的状态而被加热成预定温度。

另外，若在处理容器内对晶圆进行处理，则反应副生成物(所谓的沉积物)被生成，有时附着于处理容器的内壁等。若附着到处理容器的内壁等的沉积物的量变多，则沉积物从处理容器的内壁等剥离而成为颗粒向处理容器内分散。若飞散到处理容器内的颗粒附着于晶圆，则存在成为晶圆的不良的原因的情况。因此，定期地进行用于去除处理容器内的沉积物的清洁。在清洁中，大多使用含氟气体作为清洁气体。

另外，在晶圆的处理中大多使用多个气体，针对各气体设置控制供给量的阀等装置。多个阀大多以小型化等为目的而构成为作为1个单元的阀装置。在为了维持原料的气化而气体的供给路径被加热的情况下，阀装置整体被加热器等加热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-23324号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一方面是阀装置，其具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩散部覆盖壳体，使壳体的热扩散。加热部覆盖由热扩散部覆盖着的壳体，隔着热扩散部对壳体进行加热。供给部向在壳体与热扩散部之间形成的第2流路供给制冷剂。控制部在对处理容器内的被处理体进行预定的处理之际控制加热部，以便将壳体加热成第1温度。另外，控制部在开始处理容器的清洁之前停止加热部对壳体的加热，控制供给部，以便向第2流路供给制冷剂。

发明的效果

根据本公开的各种方面和实施方式，能够缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式中的处理装置的一个例子的概略图。

图2是表示阀主体的一个例子的立体图。

图3是表示安装于阀主体的热扩散套的一个例子的分解立体图。

图4是表示向安装有热扩散套的阀主体安装的加热套的一个例子的分解立体图。