[发明专利]一种熔晶石墓碑及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910757855.1 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110436779A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 许云生 申请(专利权)人: 许云生
主分类号: C03C6/04 分类号: C03C6/04;C03C6/02;C03B5/235;C03B5/183;C03B5/193;C03B5/225;C03B11/00;C03B25/00;C03C17/34;E04H13/00;B23K26/362;B23K26/402
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110000 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 墓碑 制备 二氧化硅 三氧化硫 氧化钙 氧化钾 氧化镁 氧化钠 氧化铁 质量份 氧化铝 硅酸盐 退色 比例配料 高温熔解 绿色产品 耐风化性 无放射性 再生性能 殡葬用品 粉磨机 高低温 混合机 风化 细磨 户外 熔炉 送入 变质 透明度
【权利要求书】:

1.一种熔晶石墓碑,其特征在于:包括如下质量份数的组分:二氧化硅72.52份,氧化铝0.43份,氧化铁0.04份,氧化钙9.65份,氧化镁3.2份,氧化钾0.02份,氧化钠13.88份,三氧化硫0.26份;

一种熔晶石墓碑的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1、硅酸盐形成价段:按上述质量份数比,将以上材料按一定比例配料通过粉磨机细磨60min,成细小、均匀的粒度,通过混合机将二氧化硅、氧化铝、氧化铁、氧化钙、氧化镁、氧化钾、氧化钠和三氧化硫搅拌均匀,再将配好的原料送入熔炉高温熔解,在1000℃范围内发生水分挥发,部分二氧化硅与配料中其他组分反应生产硅酸盐和不透明烧结物;

S2、熔晶液形成阶段:当温度上升到1200℃后,出现液相,二氧化硅在液相中溶解扩散,液相不断扩大,全部转化为液相,1300-1600℃范围内完成熔晶液形成过程,在此过程中,步骤S1的硅酸盐和剩余的二氧化硅开始熔融,相互溶解、扩散,形成透明体,配合物颗粒消失;

S3、熔晶液澄清阶段:此阶段温度1400-1500℃,保温2h,实现澄清,主要过程是通过高温处理来消除可见气泡的过程;

S4、熔晶液均化阶段:此阶段温度可低于澄清温度,通过高温使液体溶解均匀,均化过程包括:不均体的溶解与扩散的均化过程,熔晶液的对流均化过程和因气泡上升面引起的搅拌均化作用;

S5、熔晶液冷却阶段:对钠钙硅熔晶石均匀降温,使其黏度达到成型要求,通常要降到1000℃左右再进行成型。

2.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:在步骤S5中,以耐高温钢膜作为制作模具,将模具预热使用并在模具表面喷涂润滑剂,密封模具,将熔制好的熔晶液高压进料在耐高温钢膜中,通过压铸工艺高压压铸而成,压力保持铸件凝固转变成具有固定形状的固体制品后脱模。

3.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:使用退火炉对脱模的固体制品缓慢降低温度,退火完成后在空气中自然冷却至常温。

4.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:对冷却的固体制品加工,包括切割锯料、修整、打磨和抛光、雕刻和打印。

5.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:通过高温雕刻上色,包括清洁熔晶石固体制品、用砂雕设备雕出凹凸的图案、清洁熔晶石雕出凹凸的图案、将高温釉料调成想要的颜色和烧烤,画师在熔晶石固体制品雕出凹凸的图案画上颜色,画完成之后必须让熔晶石成品放置1 min以上再烘烤,开空调时可以放置30 min。

6.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:通过数码高温打印机打印,包括清洁熔晶石固体制品、喷涂层、打印、烘烤和退火,其中涂层成分分别是:光油、稀释剂和固华剂,配比光油分别是光油、固化剂和稀释剂,涂层配比比例为2:1:1,涂层需用300目网布过滤一至三遍,喷涂层时注意开油比是否正确与熔晶石是否光洁无杂志,喷涂层需用大口喷枪,喷完涂层后需平放10至20分钟,让涂层自然干表面流平之后即可打印,涂层一般需在0.25至0.5小时以内喷完,打印前必须测喷嘴,确认打印机正常出墨,打印前必须查看熔晶石表面涂层是否流平,是否光洁无杂志,打印前必须开空调,房间温度一般在23℃以下,湿度在75%以内,打印完成之后必须查看熔晶石是否有裸白、散墨、拉丝及颜色不正等现象。

7.根据权利要求1所述的一种熔晶石墓碑及其制备方法,其特征在于:烘烤时在130℃烤10min,在180℃烤5-10min,在100℃烤10-20min,自然干需放置2至4h,完成后将熔晶石成品进入高温炉烧制,在640℃烤5-15min,退火降至常温,即可为墓碑成品。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许云生,未经许云生许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910757855.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top