[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

P型衬底；

第一隔离区，形成在所述P型衬底内；

多个第一N阱壁；和

静电放电箝位电路，用于在检测到静电放电事件时释放静电放电电流，其中所述静电放电箝位电路包括：

箝位组件，设置为提供静电放电电流的放电路径，其中所述箝位组件形成在包围在所述第一隔离区和所述多个第一N阱壁中的区域上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

多个第二N阱壁；和

第一有源组件，形成在包围在所述第一隔离区，所述多个第二N阱壁和至少一个所述第一N阱壁中的另一区域上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一有源组件是功率调节器电路的一部分，所述功率调节器电路经布置以产生经调节电压输出。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第二有源组件，形成在包围在所述第一隔离区，所述多个第二N阱壁和所述至少一个第一N阱壁中的所述另一区域上，其中所述第二有源组件是功率调节器电路的另一部分，所述第一有源组件和所述第二有源组件串联连接在输入/输出端子和电源轨之间。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一有源组件是耦合在输入/输出端子和电源轨之间的晶体管。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管是NPN型双极结型晶体管。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第二隔离区，形成在所述P型衬底内；

多个第二N阱壁；和

第一有源组件，形成在包围在所述第二隔离区和所述多个第二N阱壁中的另一区域上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一有源组件是功率调节器电路的一部分，所述功率调节器电路经布置以产生经调节电压输出。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第二有源组件，形成在包围在所述第二隔离区和所述多个第二N阱壁中的所述另一区域上，其中所述第二有源组件是功率调节电路的另一部分，所述第一有源组件和所述第二有源组件串联连接在输入/输出端子和电源轨之间。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一有源组件是耦合在输入/输出端子与电源轨之间的晶体管。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管是NPN型双极结型晶体管。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述静电放电箝位电路耦合在第一电源轨和第二电源轨之间。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述静电放电箝位电路耦合在输入/输出端子与电源轨之间。

16.一种半导体装置，其特征在于，包括：

P型衬底；

隔离区，形成在P型衬底内；

多个N阱壁；和

功率调节器电路，用于产生经调节电压输出，其中所述功率调节电路包括：

有源组件，形成在包围在所述隔离区和所述多个N阱壁中的区域上。