[发明专利]一种陶瓷盖板制备工艺

说明书

本发明提供了一种陶瓷盖板制备工艺，包括如下步骤：装配；冷等静压；脱模；第一次烧结，将装有所述预烧坯体的坩埚置于烧结炉内进行烧结，烧结温度850‑900℃，升温速度5~8℃/min，保温8‑9h，得第一陶瓷坯体；加工，对第一陶瓷坯体进行机械加工控制尺寸精度，得第二陶瓷坯体；第二次烧结，将装有第二陶瓷坯体的坩埚置于烧结炉内，烧结温度1200‑1350℃，升温速度5~8℃/min，保温8‑9h，得所述陶瓷盖板成品。所述陶瓷盖板制备工艺采用二次烧结工艺，可使用常规的加工设备对陶瓷坯体进行加工，以得净尺寸的陶瓷盖板产品，提高产品尺寸精度，且陶瓷坯体的制成率与注浆成型相比大大提高。

技术领域

本发明涉及金属陶瓷技术领域，具体涉及一种陶瓷盖板制备工艺。

背景技术

高频微波技术在通信、导航、卫星、蓝牙、传感物联网射频技术等系统中，有着广泛的应用。射频/微波器件的封装设计既可以保护器件同时也可能会影响器件的性能。因此封装一定要能提供优异的电学性能、器件的保护功能和屏蔽作用等等。高性能射频微波器件通常采用陶瓷封装材料，陶瓷材料的介电性能在较宽的温度和频率范围之内都很稳定，且能承受很高的加工温度和工作温度，机械性能优异，能提供较好的防潮湿功能和优异的气密性。随着微波器件向小型化、精密化的方向发展，微波器件封装对陶瓷密封性要求逐渐升高，因此对陶瓷盖板的尺寸精度要求极高，现有的陶瓷封装技术已经不能满足成型的尺寸精度。

公告号为CN106116536A的发明专利具体公开了一种陶瓷盖板制备工艺，包括以下步骤：称重：按配比分别称取固体原料；球磨：将固体原料混合均匀后进行球磨；混料：将球磨后的混合粉料与有机溶剂按重量比为1:1-3的配比混合成浆料；成型：将浆料分别注射到陶瓷盖板模具和陶瓷基座模具中成型，得到陶瓷盖板坯体和陶瓷基座坯体；装配：在陶瓷基座坯体上覆盖一层隔粘粉后，再装配陶瓷盖板坯体与陶瓷基座坯体；烧结：将装配好的陶瓷盖板坯体与陶瓷基座坯体一同放入烧结炉中，在1300-1600℃中烧结5-20小时，得到陶瓷盖板和陶瓷基座；对陶瓷盖板去毛刺，得到产品。采用本发明，可使烧结过程中产品不易变形，提高产品的成品率，降低生产成本，提高产品尺寸精度。

上述专利采用注浆成型方法，坯体的质量对季节的变化比较敏感，在比较干燥的环境下要采取合理的保湿措施防止坯体开裂及不均匀干燥而产生的形变，另外坯体脱模成型后烧结成型后所得的毛坯盖板表面较为疏松仅凭抛光工艺很难去除，且成型后加工难度较大，对于尺寸存在偏差的陶瓷盖板很难二次加工，产品合格率较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种陶瓷盖板制备工艺，可使用常规的加工设备对陶瓷坯体进行加工，以得净尺寸的陶瓷盖板产品，提高产品尺寸精度。

为了实现以上目的，本发明采取的一种技术方案是：

一种陶瓷盖板制备工艺，包括如下步骤：装配，将陶瓷粉装入模具内并密封；冷等静压，将装配好的模具置于静压机中等静压加工；脱模，将等静压加工后的模具进行脱模，得预烧坯体，并将所述预烧坯体置于坩埚内；第一次烧结，将装有所述预烧坯体的坩埚置于烧结炉内进行烧结，烧结温度850-900℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得第一陶瓷坯体；加工，对第一陶瓷坯体进行机械加工控制尺寸精度，得第二陶瓷坯体；第二次烧结，将装有第二陶瓷坯体的坩埚置于烧结炉内，烧结温度1200-1350℃，升温速度5~8℃/min，保温8-9h，得所述陶瓷盖板成品。

进一步，还包括步骤：抛光，对所述第二次烧结后的所述陶瓷盖板进行抛光处理，用于降低所述陶瓷盖板表面的粗糙度。

进一步，所述陶瓷盖板的粗糙度为Ra为0.1-1.6um。

进一步，所述陶瓷粉为3mol%Y₂O₃掺杂四方氧化锆粉体，所述四方氧化锆粉体粒度为30-1000nm、比表面积30-60m²/g。