[发明专利]谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

权利要求书

1.一种谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆级衬底，所述衬底包括压电振荡有效区，所述压电振荡有效区的衬底上形成有声学换能器；

在所述压电振荡有效区的所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述声学换能器；

形成覆盖所述牺牲层和衬底的第一盖帽层，所述第一盖帽层的材料为干膜，采用贴膜工艺形成所述第一盖帽层；

在所述第一盖帽层中形成至少一个释放孔，所述释放孔仅露出所述牺牲层的顶面；

通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔；

去除所述牺牲层后，形成覆盖所述第一盖帽层的第二盖帽层，所述第二盖帽层密封所述释放孔，所述第二盖帽层的材料为干膜，采用贴膜的方式形成所述第二盖帽层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：形成覆盖所述衬底和声学换能器的牺牲材料层；

图形化所述牺牲材料层，保留位于所述压电振荡有效区的牺牲材料层作为所述牺牲层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括环绕所述压电振荡有效区的外围区，所述外围区的衬底上形成有连接端，所述连接端电连接所述声学换能器；

所述制造方法还包括：形成互连结构，用于电连接所述连接端。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一盖帽层的步骤中，所述第一盖帽层还覆盖所述连接端；

形成所述互连结构之前，所述制造方法还包括：形成贯穿所述第二盖帽层和第一盖帽层的互连孔，所述互连孔露出所述连接端；

在所述互连孔中形成所述互连结构。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一盖帽层的步骤中，所述第一盖帽层还覆盖所述连接端；

在所述第一盖帽层中形成释放孔的步骤中，还在所述第一盖帽层中形成第一互连孔，所述第一互连孔露出所述连接端；

形成所述第二盖帽层的步骤中，所述第二盖帽层密封所述第一互连孔；

形成所述第二盖帽层后，所述制造方法还包括：在所述第二盖帽层中形成与所述第一互连孔相贯通的第二互连孔，所述第二互连孔和第一互连孔用于构成互连孔；

在所述互连孔中形成所述互连结构。

6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用沉积工艺或涂布工艺，形成所述牺牲材料层；通过光刻工艺或干法刻蚀工艺图形化所述牺牲材料层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过光刻工艺或干法刻蚀工艺图形化所述第一盖帽层，形成所述释放孔。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，去除所述牺牲层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层和第一盖帽层的去除选择比大于或等于50:1。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括光刻胶、聚酰亚胺、无定形碳或锗。

11.如权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，形成所述互连孔的步骤包括：通过光刻工艺图形化所述第一盖帽层；通过光刻工艺图形化所述第二盖帽层。

12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层顶面至所述声学换能器顶面的距离为0.3微米至10微米。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述释放孔的横向尺寸为0.2微米至20微米。

14.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述谐振器为声表面波谐振器或体声波谐振器；所述体声波谐振器包括反射阵型体声波谐振器、横膈膜型薄膜体声波谐振器或空气隙型薄膜体声波谐振器。