[发明专利]谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

说明书

一种谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备，制造方法包括：提供晶圆级衬底，包括压电振荡有效区，压电振荡有效区的衬底上形成有声学换能器；在压电振荡有效区的衬底上形成覆盖声学换能器的牺牲层；形成覆盖牺牲层的第一盖帽层；在第一盖帽层中形成至少一个释放孔；通过释放孔去除牺牲层，形成空腔；去除牺牲层后，形成覆盖第一盖帽层的第二盖帽层，第二盖帽层密封释放孔。所述空腔采用半导体工艺所形成，形成牺牲层和去除牺牲层的工艺简单，这降低了制造谐振器的工艺复杂度，而且，所述第一盖帽层与衬底的结合强度高、第二盖帽层和第一盖帽层的结合强度高，且第一盖帽层和第二盖帽层对所述空腔的密封性较好，这相应提高了谐振器的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备。

背景技术

随着无线通信技术的发展，传统的单频带单制式设备已经不能满足通讯系统多样化的要求。目前，通讯系统越来越趋向多频段化，这就要求通讯终端能够接受各个频带以满足不同的通讯服务商和不同地区的要求。

RF(射频)滤波器通常被用于通过或阻挡RF信号中的特定频率或频带。为了满足无线通信技术的发展需求，要求通讯终端使用的RF滤波器可以实现多频带、多制式的通讯技术要求，同时要求通讯终端中的RF滤波器不断向微型化、集成化方向发展，且每个频带采用一个或多个RF滤波器。

RF滤波器最主要的指标包括品质因数Q和插入损耗。随着不同频带间的频率差异越来越小，RF滤波器需要非常好的选择性，让频带内的信号通过并阻挡频带外的信号。Q值越大，则RF滤波器可以实现越窄的通带带宽，从而实现较好的选择性。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备，在提高谐振器的可靠性的同时，降低制造工艺的复杂度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种谐振器的制造方法，包括：提供晶圆级衬底，所述衬底包括压电振荡有效区，所述压电振荡有效区的衬底上形成有声学换能器；在所述压电振荡有效区的所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述声学换能器；形成覆盖所述牺牲层的第一盖帽层；在所述第一盖帽层中形成至少一个释放孔，所述释放孔露出所述牺牲层；通过所述释放孔去除所述牺牲层，形成空腔；去除所述牺牲层后，形成覆盖所述第一盖帽层的第二盖帽层，所述第二盖帽层密封所述释放孔。

相应的，本发明实施例还提供一种谐振器，包括：衬底，所述衬底包括压电振荡有效区；声学换能器，位于所述压电振荡有效区的衬底上；第一盖帽层，覆盖所述衬底，所述第一盖帽层和所述压电振荡有效区的衬底围成空腔，所述空腔用于容纳所述声学换能器；至少一个释放孔，所述释放孔贯穿所述压电振荡有效区衬底上方的所述第一盖帽层，且所述释放孔与所述空腔相连通；第二盖帽层，覆盖所述第一盖帽层且密封所述释放孔。

相应的，本发明实施例还提供一种滤波器，包括前述谐振器。

相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括前述滤波器。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例在压电振荡有效区形成覆盖声学换能器的牺牲层，后续形成具有释放孔的第一盖帽层后，通过所述释放孔去除所述牺牲层，以形成空腔(cavity)；与采用封装工艺来形成空腔的方案相比，本发明实施例采用半导体工艺形成所述空腔，形成牺牲层和去除牺牲层的工艺简单，这相应降低了制造谐振器的工艺复杂度，而且，所述第一盖帽层与衬底的结合强度高、第二盖帽层和第一盖帽层的结合强度高，且第一盖帽层和第二盖帽层对所述空腔的密封性较好，这相应提高了谐振器的可靠性；综上，通过本发明实施例所述的制造方法，在提高谐振器的可靠性的同时，降低了制造工艺的复杂度。

附图说明

图1至图8是本发明谐振器的制造方法第一实施例中各步骤对应的结构示意图；

图9至图12是本发明谐振器的制造方法第二实施例中各步骤对应的结构示意图；